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FQB25N33TM-F085

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 330伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥64.95433
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥64.95
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 漏源电压标 (Vdss) 330伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 25A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 230VOhm@12.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 75 nC @ 15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2010 pF @ 25 V
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、250W(Tc)

FQB25N33TM-F085 产品详情

FQB25N33TM-F085所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQB25N33TM-F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQB25N33TM-F085价格参考¥64.954327,你可以下载 FQB25N33TM-F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQB25N33TM-F085规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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