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FQB11P06TM是MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK，包括卷筒包装，它们设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供3.13 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为-11.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为140mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6.5ns，正向跨导最小值为5.1S，沟道模式为增强。
FQB11P06TM**CN-SCI和用户指南是IC芯片的一部分。
FQB12N50是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK。FQB12N50可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK。
