绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,731.80636 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,731.80636 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 620 V 最大集电极电流 (Ic): 39 A 最大功率: 231 W 供应商设备包装: F1 | ¥2,752.64749 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,752.64749 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 27 A 最大功率: 63 W 供应商设备包装: IMS-2 | ¥352,477.37950 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥352,477.37950 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 135瓦 供应商设备包装: Module | ¥187.59111 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,502.18664 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场截止 参数配置: 三相 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 135瓦 供应商设备包装: F2 | ¥1,192.07512 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,192.07512 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 830 W 供应商设备包装: Module | ¥8,944.56141 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,944.56141 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 63 W 供应商设备包装: IMS-2 | ¥356,926.38250 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥356,926.38250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 335 W 供应商设备包装: AG-ECONO2B | ¥854.95192 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38,472.83622 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: Module | ¥4,384.75141 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,384.75141 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 142 A 最大功率: 417 W 供应商设备包装: EMIPAK-2B | ¥1,572.81602 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,572.81602 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波器,全桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥3,768.57968 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,768.57968 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: E3 | ¥856.86404 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,284.32021 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE 650V SP6C | ¥2,540.56791 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,621.70374 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: Module | ¥1,772.19356 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,772.19356 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场截止 参数配置: 3独立 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 156瓦 供应商设备包装: F2 | ¥1,682.73076 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,682.73076 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥4,812.38556 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,812.38556 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 105 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: Module | ¥858.86308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,588.63082 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE VCES 600V 600A | ¥2,570.07064 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,420.42382 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: Module | ¥1,032.03114 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,032.03114 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 135瓦 供应商设备包装: Module | ¥192.80600 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,627.34395 | 添加到BOM 立即询价 |