绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1100瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,994.78919 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,994.78919 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SP1 | ¥1,840.18776 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,840.18776 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥2,332.79323 | 212 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,332.79323 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 2100 W 供应商设备包装: Module | ¥4,490.84426 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,490.84426 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 180 A 最大功率: 595 W 供应商设备包装: Module | ¥1,519.27771 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,519.27771 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥1,275.17411 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,275.17411 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP4 | ¥903.72075 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,133.48677 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1040瓦 供应商设备包装: Module | ¥14,808.24999 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,808.24999 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 230 A 最大功率: 730 W 供应商设备包装: Module | ¥796.01861 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥796.01861 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 90 W 供应商设备包装: SP3 | ¥2,575.87961 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,575.87961 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥904.49335 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,567.40028 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE | ¥3,815.37416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61,045.98651 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: Module | ¥4,520.33155 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,520.33155 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: SP2 | ¥3,830.67312 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,830.67312 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1950 W 供应商设备包装: Module | ¥5,025.80775 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,025.80775 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: Module | ¥987.20727 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥987.20727 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 供应商设备包装: Module | ¥31,389.65665 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31,389.65665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP1 | ¥4,273.03240 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,273.03240 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 250伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: Module | ¥1,143.23382 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,143.23382 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE VCES 1200V 150A | ¥907.96994 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,079.69944 | 添加到BOM 立即询价 |