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什么是绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块:

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。

最大集电极电流 (Ic):
  • 22A
  • 1800 A
  • 80 A
  • 620 A
  • 84 A
  • 42 A
  • 225 A
  • 16 A
  • 240 A
  • 19A
  • 165 A
  • 123 A
  • 100 A
  • 39 A
  • 35A
  • 195 A
  • 440 A
  • 130 A
  • 72 A
  • 2400 A
  • 95 A
  • 30 A
  • 27 A
  • 300 A
  • 510 A
  • 23 A
  • 65 A
  • 153 A
  • 69 A
  • 12A
  • 185 A
  • 64 A
  • 2000 A
  • 128 A
  • 283 A
  • 1400 A
  • 11 A
  • 600 A
  • 166 A
  • 105 A
  • 38 A
  • 90 A
  • 150 A
  • 75 A
  • 52 A
  • 1600 A
  • 139 A
  • 460 A
  • 112 A
  • 87 A
  • 45 A
  • 68 A
  • 116 A
  • 27.5 A
  • 140 A
  • 200 A
  • 370 A
  • 86 A
  • 430 A
  • 950 A
  • 280 A
  • 520 A
  • 148 A
  • 15A
  • 37 A
  • 125 A
  • 70 A
  • 97 A
  • 151 A
  • 400 A
  • 675 A
  • 117 A
  • 25 A
  • 1200 A
  • 480 A
  • 1.2 kA
  • 29 A
  • 3460 A
  • 20A
  • 85 A
  • 700 A
  • 450 A
  • 160 A
  • 220 A
  • 580 A
  • 310 A
  • 500 A
  • 55 A
  • 145 A
  • 375 A
  • 78 A
  • 1500 A
  • 149 A
  • 900 A
  • 50 A
  • 420 A
  • 31 A
  • 825 A
  • 110 A
  • 18A
更多
集电极击穿电压:
  • 950伏
  • 600 V
  • 1200伏
  • 300伏
  • 1700伏
  • 1600伏
  • 1400伏
  • 3300伏
  • 1.2伏
  • 5900 V
  • 700 V
  • 6500 V
  • 2500伏
  • 250伏
  • 650 V
  • 900 V
  • 750 V
  • 1250伏
  • 1000伏
  • 620 V
  • 4500伏
更多
最大功率:
  • 100瓦
  • 940瓦
  • 50 W
  • 180瓦
  • 595 W
  • 140瓦
  • 77 W
  • 12500 W
  • 1100瓦
  • 205瓦
  • 1650 W
  • 2500瓦
  • 1250瓦
  • 480瓦
  • 210瓦
  • 290瓦
  • 1450 W
  • 870 W
  • 94瓦
  • 335 W
  • 61 W
  • 312 W
  • 250瓦
  • 6250 W
  • 410 W
  • 2400 W
  • 20毫瓦
  • 2000瓦
  • 360瓦
  • 658 W
  • 1000000 W
  • 170瓦
  • 197 W
  • 130瓦
  • 385 W
  • 4800 W
  • 68 W
  • 600 W
  • 280瓦
  • 115瓦
  • 10500瓦
  • 1600 W
  • 208瓦
  • 430 W
  • 283 W
  • 350瓦
  • 570 W
  • 340 W
  • 45瓦
  • 225瓦
  • 104瓦
  • 4150 W
  • 1500瓦
  • 75 W
  • 536 W
  • 1800瓦
  • 329 W
  • 446 W
  • 695 W
  • 3350 W
  • 460瓦
  • 416 W
  • 379 W
  • 105瓦
  • 17000 W
  • 543 W
  • 520 W
  • 1000瓦
  • 2250瓦
  • 454.5 W
  • 71.5 W
  • 431 W
  • 284 W
  • 780 W
  • 70 W
  • 300瓦
  • 176 W
  • 150瓦
  • 2300 W
  • 462 W
  • 142.8 W
  • 3900 W
  • 625 W
  • 175瓦
  • 417 W
  • 89 W
  • 1950 W
  • 145 W
  • 4.2 mW
  • 5100 W
  • 81 W
  • 40瓦
  • 2100 W
  • 765000 W
  • 500 W
  • 85 W
  • 700 W
  • 682 W
  • 4050 W
  • 640 W
更多
制造厂商:
  • 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 威世二极管 (Vishay General)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 微芯 (Microchip)
  • 宝英电源 (Powerex)
  • 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 力特 (Littelfuse)
  • 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
更多
供应商设备包装:
  • 26-DIP
  • 56-PIM/Q2PACK (93x47)
  • AG-ECONO2C
  • SOT-227
  • AG-ECONO2B
  • EZIRPACK 1
  • Dual INT-A-PAK
  • POWIR ECO 2
  • AG-PRIME3+-5
  • E10
  • AG-XHP3K33
  • AG-ECONOD-4
  • AG-ECONOD-5
  • AG-ECONOD-6
  • AG-XHP100-6
  • AG-ECONO3B
  • A-IHV190-6
  • 同位素
  • Module
  • S3
  • AG-XHP3K65
  • AG-HYBDC6I-1
  • SP6-P
  • AG-PRIME2
  • AG-XHP100-3
  • EPM7
  • AG-ECONO2-6
  • AG-ECONO2-8
  • AG-EASY1B-2
  • Y4-M5
  • 鲍威尔62
  • AG-IHVB130-3
  • EMIPAK-2B
  • PG-MDIP-28
  • D1
  • INT-A-Pak
  • D3
  • D4
  • 7PM-IA
  • SP2
  • SP1
  • SP4
  • SP3
  • SP6
  • 25PM-AA
  • AG-EASY2B-3
  • AG-EASY2B-2
  • MTP
  • E1
  • 10-MTP
  • ACEPACK1.
  • E2
  • 27-DIP
  • E3
  • AG-IHVB190-3
  • Y3-DCB
  • 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
  • SOT-227B
  • 7PM-HA
  • AG-EASY2B
  • AG-PRIME3-1
  • MiniPack2
  • AG-IHMB190-2
  • 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
  • F1
  • ACEPACK2.
  • F2
  • V1A-PAK
  • 12-MTP
  • SP3F
  • 7PM-GA
  • 鲍威尔34
  • ECO-PAC1
  • ECO-PAC2
  • IMS-2
  • AG-EASY3B
  • AG-ECONOD
  • WB
  • AG-EASY2BM-2
  • AG-ECONOPP-2-1
  • AG-62MM-1
  • AG-62毫米
  • 22-PIM (55x32.5)
  • AG-ECONO3
  • AG-ECONOD-3
  • AG-ECONO2
  • ECONO3 4PACK
  • AG-ECONOPP
  • 23-SOP
  • AG-HYBRIDD-2
  • A-IHV130-6
  • AG-HYBRIDD-1
  • AG-IHVB190
  • A-IHV130-3
  • 12-MTP Pressfit
  • AG-IHMB130-2
  • SOT-227(同位素)
  • AG-IHMB190
  • ISOTOP
  • AG-EASY1B
更多
IGBT型:
  • 场截止
  • NPT, Trench Field Stop
  • NPT and Fieldstop
  • 沟槽
  • NPT
  • PT
  • PT, Trench
  • 场终止沟道
更多
参数配置:
  • 三路、双路-公共电源
  • 三电平逆变器-IGBT、FET
  • 降压斩波电路
  • 三相逆变器
  • 升压斩波器,全桥
  • 三相
  • 双制动斩波器
  • 带制动器的三相逆变器
  • 单个的
  • 升压斩波电路
  • 半桥
  • 不对称电桥
  • 三电平逆变器
  • 双重、公共源
  • 半桥逆变器
  • 单斩波器
  • T型
  • 全桥
  • 双降压斩波器
  • 单个开关
  • 双升压斩波器
  • 全桥逆变器
  • 3独立
  • 2独立
更多
当前"绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块"共 2699 条相关库存
久芯自营
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品牌型号
描述
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库存
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操作
CM50BU-24H
CM50BU-24H
参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 400瓦 供应商设备包装: Module

¥16,102.14379

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16,102.14379

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FF225R17ME4B11BOSA1
FF225R17ME4B11BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 340 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: Module

¥924.55619

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥924.55619

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FF150R12ME3GBOSA1
FF150R12ME3GBOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 695 W 供应商设备包装: Module

¥625.20713

440

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,500.82851

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FF600R12IE4PNOSA1
FF600R12IE4PNOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 3350 W 供应商设备包装: Module

¥3,024.70747

25

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,024.70747

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APTGF100A120TG
APTGF100A120TG
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 568 W 供应商设备包装: SP4

¥348,396.01660

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥348,396.01660

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CM50DU-24F
CM50DU-24F
IGBT型: 沟槽 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 320瓦 供应商设备包装: Module

¥4,647.44445

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,647.44445

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FP35R12KT4BOSA1
FP35R12KT4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 210瓦 供应商设备包装: Module

¥2,825.45529

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,825.45529

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FP50R12KT4PBPSA1
FP50R12KT4PBPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module

¥940.99757

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,409.97568

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FS200R07A5E3S6BPSA1
FS200R07A5E3S6BPSA1
IGBT MODULE HYBRID PACK LIGHT

¥4,542.16745

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥54,506.00938

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APTGF100DA120T1G
APTGF100DA120T1G
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 735 W 供应商设备包装: SP1

¥1,851.41603

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,851.41603

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CM50DU-24H
CM50DU-24H
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 400瓦 供应商设备包装: Module

¥3,150.42490

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,150.42490

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FP35R12KT4B11BOSA1
FP35R12KT4B11BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 210瓦 供应商设备包装: Module

¥508.16186

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥508.16186

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FS660R08A6P2FLBBPSA1
FS660R08A6P2FLBBPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 750 V 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 1053瓦 供应商设备包装: AG-HYBRIDD-1

¥4,606.48440

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,638.90640

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BSM100GB120DLCKHOSA1
BSM100GB120DLCKHOSA1
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 830 W 供应商设备包装: Module

¥941.43214

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,414.32142

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APTGF100DA120TG
APTGF100DA120TG
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 568 W 供应商设备包装: SP4

¥4,421.38485

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,421.38485

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CM50DY-12H
CM50DY-12H
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: Module

¥1,135.21231

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,135.21231

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FD-DF80R12W1H3_B52
FD-DF80R12W1H3_B52
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 215 W 供应商设备包装: Module

¥2,601.62940

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,601.62940

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FS400R07A3E3H6BPSA1
FS400R07A3E3H6BPSA1
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 供应商设备包装: Module

¥4,708.43727

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥75,334.99634

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APTGF100DU120TG
APTGF100DU120TG
IGBT型: NPT 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 568 W 供应商设备包装: SP4

¥7,090.64386

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,090.64386

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FP25R12KT4BOSA1
FP25R12KT4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 160瓦 供应商设备包装: Module

¥386.62600

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5-7 工作日

- +

合计: ¥1,933.13001

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