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什么是结栅场效应晶体管 (JFET):

结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或压控电阻器的器件。在栅极和源极端子之间施加的适当极性的电势差增加了对电流流动的阻力,这意味着更少的电流在源极端子和漏极端子之间的沟道中流动。由于电荷流过源极端子和漏极端子之间的半导体沟道,JFET 不需要偏置电流。

工作温度:
  • -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度
  • -65摄氏度 ~ 135摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TA)
  • -50摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -20摄氏度~80摄氏度(TA)
  • -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 125摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 135摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~85摄氏度(TA)
更多
最大功率:
  • 150 mW
  • 100 mW
  • 429 W
  • 700 mW
  • 30 mW
  • 190瓦
  • 460毫瓦
  • 250毫瓦
  • 400毫瓦
  • 254 W
  • 238 W
  • 310 mW
  • 125毫瓦
  • 350毫瓦
  • 1.8瓦
  • 330毫瓦
  • 68 W
  • 325毫瓦
  • 1 W
  • 200毫瓦
  • 625 mW
  • 225毫瓦
  • 190毫瓦
  • 300毫瓦
  • 360毫瓦
  • 500 mW
更多
电阻-RDS(On):
  • 300欧姆
  • 18欧姆
  • 12欧姆
  • 55 mOhms
  • 6 Ohms
  • 70 mOhms
  • 90 mOhms
  • 150欧姆
  • 85 Ohms
  • 200欧姆
  • 175欧姆
  • 45毫欧姆
  • 40欧姆
  • 100毫欧姆
  • 60 Ohms
  • 125欧姆
  • 375 Ohms
  • 25欧姆
  • 100欧姆
  • 80 Ohms
  • 17毫欧姆
  • 250欧姆
  • 7 Ohms
  • 500 mOhms
  • 8 Ohms
  • 75 Ohms
  • 400欧姆
  • 5 Ohms
  • 30欧姆
  • 10欧姆
  • 3欧姆
  • 50 Ohms
更多
击穿电压(V(BR)GSS):
  • 20伏
  • 40伏
  • 30伏
  • 1200伏
  • 1700伏
  • 50 V
  • 15伏
  • 35伏
  • 25伏
  • 6.5 V
  • 22伏
更多
制造厂商:
  • 美高森美 (Microsemi)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • NTE电子 (NTE)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 哈利斯 (HARRIS)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 英诺赛科 (Innoscience)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 威世达勒 (Vishay Dale)
  • 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 德州仪器 (Texas)
  • 微芯 (Microchip)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 中央半导体 (Central)
  • 固态公司 (Solid State )
  • 美国微芯 (MICROCHIP)
更多
场效应管类型:
  • P-通道
  • n通道
  • 2 N通道
  • 2个N通道(双通道)
供应商设备包装:
  • TO-206AA (TO-18)
  • SMini3-G1
  • 3英里/小时
  • TO-236
  • ECSP1006-3
  • SC-59-3/CP3
  • TO-18 (TO-206AA)
  • SSSMini3-F1
  • UB
  • 3-SPA
  • SC-70-5
  • SSSMini3-F2
  • SOT-23
  • SC-70FL/MCPH3
  • SMini3-F2-B
  • SOT-623F
  • TO-206AF (TO-72)
  • PG-TO247-3
  • SOT-223-4
  • 6-TSSOP
  • VTFP
  • 3-UB (3.09x2.45)
  • Mini3-G1
  • SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
  • TO-71
  • TO-72
  • 5-MCPH
  • SOT-23-3
  • SSMini3-F3-B
  • TO-78-6
  • TO-236AB
  • TO-72-4
  • SMV
  • SMini3-F2
  • 3mcph
  • 3-MPAK
  • SC-88AFL/MCPH5
  • SC-70
  • SOT-23 (TO-236AB)
  • 4-md
  • 3-VTFP
  • TO-206AC (TO-52)
  • 3-CP
  • TO-236 (SOT-23)
  • SC-70-3(SOT323)
  • TO-247-3
  • 8-SOIC
  • SMCP
  • Die
  • SSMini3-F1
  • SSMini3-F3
  • SOT-23-3 (TO-236)
  • TO-92 (TO-226)
  • NS-A1
  • 6-CPH
  • 3-USFP
  • USM
  • TO-92
  • S-Mini
  • SC-59
  • D2PAK-7
  • SOT-323
  • USV
  • TO-18
  • TO-92-3
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当前"结栅场效应晶体管 (JFET)"共 528 条相关库存
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品牌型号
描述
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J111-D26Z
J111-D26Z
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.45923

45046

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.45923

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2SK879-Y(TE85L,F)
2SK879-Y(TE85L,F)
场效应管类型: n通道 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: USM 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥1.18349

24548

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.18349

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J112-D74Z
J112-D74Z
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.71283

7980

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.71283

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J111-D74Z
J111-D74Z
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.28783

24394

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.28783

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2SK11030QL
2SK11030QL
场效应管类型: n通道 最大功率: 150 mW 电阻-RDS(On): 300欧姆 供应商设备包装: Mini3-G1 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.91117

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.91117

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J109-D26Z
J109-D26Z
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 12欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.48914

8861

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.48914

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2SK2394-6-TB-E
2SK2394-6-TB-E
场效应管类型: n通道 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: 3-CP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.54250

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.54250

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NSVJ3557SA3T1G
NSVJ3557SA3T1G
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 15伏 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SC-59-3/CP3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.28946

6026

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.28946

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CPH6904-TL-E
CPH6904-TL-E
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 最大功率: 700 mW 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥5.21489

785

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.21489

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NSVJ6904DSB6T1G
NSVJ6904DSB6T1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 700 mW 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.30887

1670

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.30887

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JFE150DCKR
JFE150DCKR
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 供应商设备包装: SC-70-5 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度(TA)

¥25.91630

16465

2-3 工作日

- +

合计: ¥25.91630

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JFE150DCKT
JFE150DCKT
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 供应商设备包装: SC-70-5 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度(TJ)

¥24.16122

10092

2-3 工作日

- +

合计: ¥24.16122

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JFE2140DR
JFE2140DR
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥45.52693

11455

2-3 工作日

- +

合计: ¥45.52693

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JANTX2N4859
JANTX2N4859
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥109.40335

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥109.40335

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JANTX2N4092UB
JANTX2N4092UB
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: 4-md

¥966.43832

121

2-3 工作日

- +

合计: ¥966.43832

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JANTX2N4093UB
JANTX2N4093UB
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 80 Ohms 供应商设备包装: UB

¥1,000.19467

88

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,000.19467

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J107
J107
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 8 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.24530

3629

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,159.97764

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CP226V-2N4393-CM
CP226V-2N4393-CM
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥151.32591

0

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合计: ¥151.32591

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J110,126
J110,126
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 400毫瓦 电阻-RDS(On): 18欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥69.47390

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥69.47390

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PMBF4391
PMBF4391
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 250毫瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥10.61809

22135

5-7 工作日

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