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JFE2140DR
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JFE2140DR

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 45.52692 45.52692
10+ 40.23016 402.30167
30+ 36.99325 1109.79771
  • 库存: 11455
  • 单价: ¥45.52693
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥45.53
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 击穿电压(V(BR)GSS) 40伏
  • 电阻-RDS(On) -
  • 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) -
  • 关闭电压 (VGS off) @ Id -
  • 最大正向电流 (Id) 50 mA
  • 最大功率 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5V时为13皮法
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC

JFE2140DR 产品详情

JFE2140DR所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),JFE2140DR 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。JFE2140DR价格参考¥45.526928,你可以下载 JFE2140DR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询JFE2140DR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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