JFE150DBVR
- 描述:PROTOTYPE
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规格参数
- Series -
- FET Type -
- Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 40 V
- Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
- Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 24 mA @ 10 V
- Current Drain (Id) - Max 50 mA
- Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1.5 V @ 100 nA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
- Resistance - RDS(On) -
- Power - Max -
- Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case SC-74A, SOT-753
- Supplier Device Package -
JFE150DBVR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | JFE150DCKR | 德州仪器 (Texas) | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 供应商设备包装: SC-70-5 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） | ¥25.9163 |
 | JFE150DCKT | 德州仪器 (Texas) | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 供应商设备包装: SC-70-5 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥24.16122 |
 | JFE2140DR | 德州仪器 (Texas) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥45.52693 |
| JFE2140EVM | JFE2140 EVALUATION MODULE FOR DU | ¥0.00 | |
| JFE150EVM | JFE150 EVALUATION MODULE, -40-VG | ¥0.00 | |
| JFE150DBVR | PROTOTYPE | ¥0.00 | |
| JFE150DBVT | PROTOTYPE | ¥0.00 |
JFE150DBVR所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，JFE150DBVR 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。JFE150DBVR价格参考￥，你可以下载 JFE150DBVR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询JFE150DBVR规格参数、现货库存、封装信息等信息！