存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥22.38056 | 7029 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.38056 | 添加到BOM 立即询价 | ||
EEPROM, 512X8, SERIAL, CMOS | ¥3.11445 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥20.75616 | 121 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20.75616 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.43x14.05) | ¥22.67028 | 14830 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.67028 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-DIP | ¥3.11445 | 5960 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥55.03798 | 49 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55.03798 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥55.29021 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55.29021 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.11445 | 3313 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥14.18377 | 71857 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.18377 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥31.94119 | 12591 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.94119 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.11445 | 1496 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8, 128 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-PDIP | ¥1.44858 | 28550 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥52.64183 | 79 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥52.64183 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥32.37576 | 4304 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.37576 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (1K x 16, 2K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-DIP | ¥3.11445 | 1410 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-PDIP | ¥1.44858 | 18597 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.6伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x7) | ¥27.37816 | 1906 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.37816 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥18.87210 | 42914 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18.87210 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 时钟频率: 400千赫 | ¥3.18688 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥1.44858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 |