存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥26.81322 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.81322 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥72.84909 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.84909 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13) | ¥449.21914 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥449.21914 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥20.49741 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.49741 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6) | ¥62.11511 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.11511 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥74.99299 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.99299 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥69.99539 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.99539 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: CBRAM 存储容量: 64kb (32B Page Size) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥70.31407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.31407 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥38.87989 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.87989 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3) | ¥492.66206 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥492.66206 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥31.27484 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.27484 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥33.91399 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33.91399 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13) | ¥38.03971 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.03971 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥477.62580 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥477.62580 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.65伏~2.75伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 80-PQFP (14x20) | ¥84.91576 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.91576 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: CBRAM 存储容量: 64kb (32B Page Size) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥0.81555 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.81555 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥71.86405 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.86405 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥361.13616 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥361.13616 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: CBRAM 存储容量: 64kb (32B Page Size) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥20.04835 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.04835 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥58.16049 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.16049 | 添加到BOM 立即询价 |