存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥57.37825 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.37825 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31) | ¥37.44579 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.44579 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥73.47198 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.47198 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31) | ¥50.67133 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.67133 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥100.50248 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥100.50248 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥76.70231 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.70231 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥30.70990 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.70990 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥59.98570 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.98570 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥80.80179 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.80179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥228.12238 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥228.12238 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥39.56072 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.56072 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥345.90642 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥345.90642 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥129.57548 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.57548 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥46.32565 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥46.32565 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥57.65348 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.65348 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥113.20653 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥113.20653 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥63.08566 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.08566 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC SRAM | ¥29.78281 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.78281 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC SRAM | ¥28.11694 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.11694 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V | ¥59.86981 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.86981 | 添加到BOM 立即询价 |