存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: Die | ¥19.16471 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.16471 | 添加到BOM 立即询价 | ||
INTEGRATED CIRCUIT | ¥60.99970 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.99970 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31) | ¥86.87134 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.87134 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: Die | ¥62.69454 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.69454 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC FLASH | ¥78.68687 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.68687 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31) | ¥403.05290 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥403.05290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥46.61530 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.61530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥18.07828 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.07828 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: Die | ¥35.28741 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.28741 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31) | ¥45.54336 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.54336 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HMC 32G NANA HBBGA 8DP | ¥605.76718 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥605.76718 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥104.45710 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥104.45710 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥20.49741 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.49741 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: Die | ¥47.64380 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.64380 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥48.23771 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.23771 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13) | ¥30.63747 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.63747 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NOR FLASH 256MX16 PLASTIC PBF TF | ¥29.65243 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.65243 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.3伏~1.545伏 时钟频率: 1.75千兆赫 | ¥165.41335 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥165.41335 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13) | ¥35.41778 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.41778 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: Die | ¥12.60265 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 |