存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IC | ¥18.04931 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.04931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC | ¥30.33327 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.33327 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC | ¥465.80539 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥465.80539 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (16K x 64) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥19.61377 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.61377 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 2.5伏~6伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-DIP | ¥542.07312 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥542.07312 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 2.5V ~ 6.0V 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥45.63027 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.63027 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 2.5伏~6伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥63.37538 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.37538 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥73.51544 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.51544 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 2.5V ~ 6.0V 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-DIP | ¥149.69626 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥149.69626 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.5V ~ 6.0V 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥13.58768 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.58768 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 2.5V ~ 6.0V 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥218.34446 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥218.34446 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 2.5V ~ 6.0V 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-DIP | ¥24.84315 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.84315 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥12.28396 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.28396 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 2.5V ~ 6.0V 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥159.11203 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥159.11203 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-DIP | ¥64.07069 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.07069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥69.74913 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.74913 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥76.12288 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.12288 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC SDRAM LPDDR3 8G NANA FBGA DDP | ¥13.61665 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.61665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18) | ¥234.10501 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥234.10501 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12) | ¥26.56696 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.56696 | 添加到BOM 立即询价 |