什么是存储器:
存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式：CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM（非易失性或易失性）。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb，接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
存储格式:
- PROM
- FLASH, RAM
- FLASH
- SRAM
- NVSRAM
- EEPROM
- CBRAM
- EERAM
- PCM (PRAM)
- EPROM
- PSRAM
- FRAM
- DRAM
- RAM
更多
存储类型:
- Non-Volatile
- Volatile
电源电压:
- 1.6伏~5.5伏
- 1.5伏~3.6伏
- 1.7伏~3伏
- 2.4伏~2.6伏
- 3.14伏~3.63伏
- 0.95伏
- 2.3伏~3.6伏
- 1.283V～1.45V
- 1.7伏～1.95伏
- 4.94V ~ 5.46V
- 2.8伏~4.5伏
- 2.65伏~5.5伏
- 2.7伏~5.5伏
- 1.8伏~3.6伏
- 1.06伏~1.17伏，1.7伏~1.95伏
- 1.283V～1.45V、1.425V～1.575V
- 1.7伏~2.2伏
- 1.425伏~ 1.575伏
- 2.7伏~3.3伏
- 2伏~5.5伏
- 4V ~ 6.5V
- 1.65伏~2.2伏
- 4.5伏~6.5伏
- 1.65伏~4.4伏
- 1.26伏~ 1.34伏
- 1.7伏~3.6伏
- 2.375伏~2.625伏
- 1V
- 1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏
- 2.3V ~ 3V
- 2.5伏~3.6伏
- 1.75伏～1.95伏
- 3.135V~3.6V
- 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
- 1.65伏~2.1伏
- 1.65V~2V
- 1.7伏~5.5伏
- 1.65伏~3.6伏
- 1.6伏~3.6伏
- 2.4伏~3.6伏
- 2.5伏~6伏
- 1.4伏~1.6伏
- 1.8伏~5.5伏
- 1.71V~3.63V
- 2.6伏~3.3伏
- 2.35伏~3.6伏
- 4.5伏~6伏
- 1.65伏～1.95伏
- 3.135V ~ 3.63V
- 2.5伏~2.7伏
- 1.65伏~2.75伏
- 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V
- 2.5V ~ 6.0V
- 2.85伏~5.25伏
- 3V～5.5V
- 1.2伏～1.35伏
- 1.7伏~1.9伏
- 2.5伏~5.5伏
- 3.15伏~3.6伏
- 3.135V~3.465V
- 2V~3.6V
- 2.7V~3.6V、4.5V~5.5V
- 4.5V～12.5V
- 2.7V ~ 3.65V
- 1.7伏～1.98伏
- 1.14伏～1.26伏
- 1.275V～1.455V
- 1.65V~3V
- 2.8V ~ 5.25V
- 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏
- 2.7伏~4.5伏
- 2.2伏~3.6伏
- 3V～5.25V
- 1.65伏~2.25伏
- 5V
- 3.15伏~3.45伏
- 1.42V~1.58V，1.7V~1.9V
- 1.4伏~1.65伏
- 4.75伏~5.5伏
- 3V~3.6V，4.5V~5.5V
- 1.71V～1.89V
- 2.9伏~5.5伏
- 3.3伏
- 2.3伏~2.7伏
- 2.8伏~3.6伏
- 2.8伏~6伏
- 4.5伏~5.5伏
- 2.2伏~5.5伏
- 1.25伏~ 1.35伏
- 2.1伏~3.6伏
- 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
- 1.14伏～1.95伏
- 4.75伏~5.25伏
- 1.7伏~2伏
- 3V~3.6V
- 2.375伏~3.465伏
- 1.8伏~6伏
- 2.2V ~ 3.7V
- 2.65伏~3.6伏
- 2.7伏~3.6伏
更多
时钟频率:
- 45兆赫
- 375兆赫
- 333兆赫
- 450兆赫
- 1.33 GHz
- 800 kHz
- 250兆赫
- 4兆赫
- 85 MHz
- 6.5 MHz
- 401 kHz
- 50 MHz
- 30兆赫
- 360兆赫
- 133兆赫
- 34兆赫
- 75 MHz
- 15兆赫
- 5 MHz
- 3.4兆赫
- 1.5千兆赫
- 2千赫
- 266兆赫
- 87 MHz
- 56 MHz
- 400千赫
- 1.25兆赫
- 40兆赫
- 633 MHz
- 100兆赫
- 625 MHz
- 7 GHz
- 104兆赫
- 25兆赫
- 108兆赫
- 90 MHz
- 3兆赫
- 80 MHz
- 67 MHz
- 1.066千兆赫
- 550 MHz
- 54 MHz
- 2.133 GHz
- 10兆赫
- 33兆赫
- 125千赫
- 14兆赫
- 250千赫
- 8 MHz
- 183 MHz
- 300兆赫
- 225兆赫
- 533 MHz
- 267兆赫
- 52 MHz
- 65 MHz
- 166兆赫
- 120兆赫
- 143兆赫
- 20兆赫
- 350兆赫
- 86 MHz
- 1 GHz
- 312兆赫
- 28兆赫
- 1.6千兆赫
- 233兆赫
- 2兆赫
- 150兆赫
- 13兆赫
- 800 MHz
- 714 MHz
- 1.333千兆赫
- 933兆赫
- 1.067 GHz
- 167兆赫
- 278 MHz
- 125兆赫
- 357 MHz
- 500 MHz
- 900 kHz
- 675 MHz
- 667 MHz
- 1兆赫
- 366 MHz
- 1.25千兆赫
- 400兆赫
- 12兆赫
- 100千赫
- 16兆赫
- 113兆赫
- 1.2千兆赫
- 117兆赫
- 66 MHz
- 8 GHz
- 200兆赫
- 70 MHz
- 83 MHz
- 600 MHz
- 2.1兆赫
更多
存储容量:
- 16Kb (4K x 4)
- 256Gb (32G x 8)
- 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
- 8Mb (512K x 18)
- 288Mb (16M x 18)
- 18Mb (512K x 36)
- 1Kb (128 x 8, 64 x 16)
- 4Kb (256 x 16)
- 2Mb (64K x 32)
- 4.5Mb (128K x 36)
- 1Mb (256K x 4)
- 16Kb (2K x 8, 1K x 16)
- 256Mb (16M x 16)
- 8Kb (512 x 16)
- 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
- 32KB（32K x 8）
- 8Gb (512M x 16)
- 8Mb (256K x 32)
- 64Kb (64K x 1)
- 1Mb (64K x 16)
- 2Gb (128M x 16)
- 64Mb (8M x 8)
- 16Kb (1K x 16, 2K x 8)
- 8Gb
- 256KB
- 128Kb (16K x 8)
- 8Gb (1G x 8)
- 32Mb (8M x 4)
- 32Kb (4K x 8)
- 4Kb (512 x 8)
- 16Kb (2K x 8)
- 8Mb (512K x 16)
- 512Kb (64K x 8)
- 8Kb (1K x 8)
- 256Kb (32K x 8)
- 8Mb (1M x 8)
- 16Mb (2M x 8)
- 8Kb (256 x 8 x 4)
- 144Mb (4M x 36)
- 1Kb (256 x 4)
- 512Mb (16M x 32)
- 4Kb (256 x 8 x 2)
- 2Gb (256M x 8)
- 4Gb (128M x 32)
- 32Mb (2M x 16)
- 64Mb (4M x 16)
- 1Kb (128 x 8)
- 32Mb (4M x 8)
- 2Gb (64M x 32)
- 2Kb (128 x 16)
- 128Mb (2M x 16)
- 18Mb (512K x 32)
- 1Mb (128K x 8)
- 64Kb (8K x 8)
- 9Mb（256K x 36）
- 256Mb (32M x 8)
- 256Mb (8M x 32)
- 72Mb (4M x 18)
- 576Kb (16K x 36)
- 144Mb (8M x 18)
- 64Gb (8G x 8)
- 16Kb (1K x 16)
- 4Mb (1M x 4)
- 4Gb (512M x 8)
- 1Kb (64 x 16)
- 4Mb (2M x 2)
- 512Mb (64M x 8)
- 16Mb (1M x 16)
- 4Mb (512K x 8, 256K x 16)
- 2Mb (128K x 16)
- 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
- 288Kb (32K x 9)
- 36Mb (1M x 36)
- 256Kb (64K x 4)
- 256b (16 x 16)
- 4Mb (256K x 16)
- 4.5Mb (256K x 18)
- 72Mb (2M x 36)
- 8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
- 9Mb（512K x 18）
- 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
- 1.152Mb（64K x 18）
- 576Mb (8M x 72)
- 512Mb (32M x 16)
- 4Gb (256M x 16)
- 2Mb (256K x 8)
- 4Gb (1G x 4)
- 64Kb (4K x 16)
- 2Kb (256 x 8)
- 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
- 1Mb (64K x 18)
- 4Mb (512K x 8)
- 18Mb (1M x 18)
- 32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
- 1Gb（128M x 8）
- 128Mb (4M x 32)
- 64Mb (2M x 32)
- 1Gb (64M x 16)
- 128Mb (16M x 8)
- 128Mb (8M x 16)
更多
制造厂商:
- 高通半导体 (GENITOP)
- 柯夏 (Kioxia)
- 英飞凌 (Infineon)
- 澜智 (Zetta)
- 加贺电子 (Kaga FEI)
- 联盟内存 (Alliance Memory )
- 夏普株式 (Sharp)
- 恩智浦 (NXP)
- 美国诺沃顿技术 (Nuvoton)
- 晶存 (Rayson)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 安盛美 (onsemi)
- 慧荣科技 (Silicon Motion )
- 艾普凌科有限公司 (ABLIC)
- 阿德斯托 (Adesto)
- Insignis (Insignis)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 维京 (Viking)
- 铠侠 (KIOXIA)
- 钰创 (Etron)
- 弗莱克森私人有限公司 (Flexxon Pte )
- 安世半导体 (Nexperia)
- 德国重离子研究中心 (GSI)
- 戴泺格 (Dialog)
- 东芝 (Toshiba)
- 华冠 (HGSEMI)
- 微芯 (Microchip)
- ATP (ATP)
- 华邦电子 (Winbond)
- 江波龙 (FORESEE)
- 旺宏 (Macronix)
- 英锐芯 (IDCHIP)
- 首鼎半导体 (SHOUDING)
- 芯天下 (XTX)
- 美国微芯 (MICROCHIP)
- 费利蒙 (Fremont Micro)
- 米客方德 (MK)
- 罗姆 (Rohm)
- 镁光 (Micron)
- 美国芯成 (ISSI)
- 迪浦 (PUOLOP)
- 瑞士比特 (Swissbit)
- 博雅 (BOYAMICRO)
- 德州仪器 (Texas)
- IDT公司 (IDT)
- 霍尼韦尔航天 (Honeywell)
- 海力士 (HYNIX)
- 兆易创新 (GigaDevice)
- 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
- 普冉 (PUYA)
- 芯成 (ISSI)
- 杰盛微 (JSMSEMI)
- 视差 (Parallax)
- 模拟器件公司 (Analog)
- 三星半导体 (Samsung)
- 复旦微 (FM)
- 闪迪 (SANDISK)
- 富士通 (FUJITSU)
- 虹晶科技 (Socle)
- 辉芒微 (FMD)
- 金士顿 (Kingston)
- 罗切斯特电子 (Rochester)
- 航顺 (HK)
- 旭化成微器件 (Asahi Kasei)
- 东芯半导体 (Dosilicon)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 上海贝岭 (BL)
- 英特尔 (Intel RealSense)
- 日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro)
- 乐山无线电 (LRC)
更多
供应商设备包装:
- 8-TSSOP-B
- 32-PDIP
- 8-SO
- 32-TSOP II
- 44-SOJ
- 36-SOJ
- 86-TSOP II
- SC-70-5
- 28-TSOP I
- 78-FBGA (8x10.5)
- 28-SOJ
- 32-LCC (11.43x13.97)
- 8-USON (4x4)
- 24-CSPBGA (6x8)
- 84-TWBGA (8x12.5)
- SOT-23-6
- 54-TSOP II
- 32-PLCC（11.43x13.97）
- 8-DFN (5x6)
- 54-TFBGA (8x8)
- 60-TFBGA (8x13)
- 8-TSSOP
- 60-FBGA (8x10)
- 200-VFBGA (10x14.5)
- 56-TSOP
- 44-TSOP II
- 60-VFBGA (8x9)
- 64-FBGA (9x9)
- 24-BGA (8x6)
- 8-DFN (4x4.5)
- 8-UDFN (2x3)
- 8-MSOP
- 100-TQFP（14x20）
- 60-VFBGA (8x9.5)
- 16-SOP
- 48-FBGA (6x7)
- 28-PDIP
- 96-FBGA（9x13）
- 36-VFBGA（6x8）
- 8-WSON (6x8)
- 8-SOP
- 8-USON (2x3)
- 8-DIP
- 48-TFBGA (8x10)
- 90-TFBGA (8x13)
- 8-SOP-J
- 84-FBGA (8x12.5)
- 63-BGA (9x11)
- 96-FBGA（7.5x13.5）
- 8-WSON (6x5)
- 24-FBGA (6x8)
- 48-TFBGA (6x8)
- 64-LFBGA (9x9)
- 8-DIPK
- 60-FBGA (8x13)
- 8-UFDFPN (2x3)
- 32-TSOP
- 67-VFBGA (6.5x8)
- 48-FBGA (10x10)
- 8-DFN (2x3)
- 63-VFBGA (10.5x13)
- 8-UDFN (5x6)
- VSON008X2030
- 8-VFBGA (1.5x2)
- 28-SOIC
- 64-LFBGA, CSP (11x13)
- 96-TWBGA（9x13）
- 48-TSOP
- 66-TSOP II
- 24-CDIP
- 8-PDIP
- 8-USON (1.5x1.5)
- 8-SOIJ
- 48-TFBGA
- 16-SOIC
- 134-TFBGA (10x11.5)
- 54-FBGA (8x8)
- 24-BGA (6x8)
- 8-WSON (5x6)
- 48-VFBGA (6x8)
- 90-FBGA (8x13)
- 32-TSOP I
- 63-VFBGA (9x11)
- 8-SOIC
- 32-SOP
- 24-VFBGA (6x8)
- 32-SOJ
- 32-VSOP
- 4-WLCSP (0.84x0.86)
- 32-PLCC（13.97x11.43）
- 63-TFBGA (9x11)
- 8-WSON (8x6)
- 96-FBGA（7.5x13）
- 28-TSOP
- 32-SOIC
- 165-FBGA (13x15)
- 8-WDFN (5x6)
- 48-miniBGA (7.2x8.7)
- 96-VFBGA（7.5x13）
- 24-EDIP
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IC SDRAM DDR3 1G NANA NA | ¥22.84411 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.84411 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥323.20717 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥323.20717 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥43.84852 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.84852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 供应商设备包装: 200-WFBGA (10x14.5) | ¥28.59497 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.59497 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 供应商设备包装: 200-WFBGA (10x14.5) | ¥123.82462 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥123.82462 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG | ¥40.52403 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.52403 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 256MX32 FB | ¥104.18187 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥104.18187 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC MOBILE DDR 1G 32MX32 FBGA | ¥12.86339 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.86339 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC MOBILE DDR 512M NAX16 FBGA | ¥33.46220 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.46220 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（8x14） | ¥80.97562 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.97562 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC SDRAM LPDDR3 16GBIT 256MX64 F | ¥50.49750 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.49750 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC SDRAM LPDDR4 4G NA QDP | ¥20.94647 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.94647 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC SDRAM LPDDR4 4G NA QDP | ¥40.35744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.35744 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 800 MHz | ¥37.61962 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.61962 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x13) | ¥120.00037 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.00037 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 电源电压: 1.1伏 供应商设备包装: 366-WFBGA (12x12.7) | ¥43.03731 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.03731 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC SDRAM LPDDR4 32GBIT 512MX64 F | ¥196.35502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥196.35502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥12.89236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥105.19588 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥105.19588 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 2.5V ~ 6.0V 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SO | ¥58.13152 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.13152 | 添加到BOM 立即询价 |