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什么是存储器:

存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式：CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM（非易失性或易失性）。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb，接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

存储格式:
PROM
FLASH, RAM
FLASH
SRAM
NVSRAM
EEPROM
CBRAM
EERAM
PCM (PRAM)
EPROM
PSRAM
FRAM
DRAM
RAM
更多
存储类型:
Non-Volatile
Volatile
电源电压:
1.6伏~5.5伏
1.5伏~3.6伏
1.7伏~3伏
2.4伏~2.6伏
3.14伏~3.63伏
0.95伏
2.3伏~3.6伏
1.283V～1.45V
1.7伏～1.95伏
4.94V ~ 5.46V
2.8伏~4.5伏
2.65伏~5.5伏
2.7伏~5.5伏
1.8伏~3.6伏
1.06伏~1.17伏，1.7伏~1.95伏
1.283V～1.45V、1.425V～1.575V
1.7伏~2.2伏
1.425伏~ 1.575伏
2.7伏~3.3伏
2伏~5.5伏
4V ~ 6.5V
1.65伏~2.2伏
4.5伏~6.5伏
1.65伏~4.4伏
1.26伏~ 1.34伏
1.7伏~3.6伏
2.375伏~2.625伏
1V
1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏
2.3V ~ 3V
2.5伏~3.6伏
1.75伏～1.95伏
3.135V~3.6V
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
1.65伏~2.1伏
1.65V~2V
1.7伏~5.5伏
1.65伏~3.6伏
1.6伏~3.6伏
2.4伏~3.6伏
2.5伏~6伏
1.4伏~1.6伏
1.8伏~5.5伏
1.71V~3.63V
2.6伏~3.3伏
2.35伏~3.6伏
4.5伏~6伏
1.65伏～1.95伏
3.135V ~ 3.63V
2.5伏~2.7伏
1.65伏~2.75伏
1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V
2.5V ~ 6.0V
2.85伏~5.25伏
3V～5.5V
1.2伏～1.35伏
1.7伏~1.9伏
2.5伏~5.5伏
3.15伏~3.6伏
3.135V~3.465V
2V~3.6V
2.7V~3.6V、4.5V~5.5V
4.5V～12.5V
2.7V ~ 3.65V
1.7伏～1.98伏
1.14伏～1.26伏
1.275V～1.455V
1.65V~3V
2.8V ~ 5.25V
1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏
2.7伏~4.5伏
2.2伏~3.6伏
3V～5.25V
1.65伏~2.25伏
5V
3.15伏~3.45伏
1.42V~1.58V，1.7V~1.9V
1.4伏~1.65伏
4.75伏~5.5伏
3V~3.6V，4.5V~5.5V
1.71V～1.89V
2.9伏~5.5伏
3.3伏
2.3伏~2.7伏
2.8伏~3.6伏
2.8伏~6伏
4.5伏~5.5伏
2.2伏~5.5伏
1.25伏~ 1.35伏
2.1伏~3.6伏
2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
1.14伏～1.95伏
4.75伏~5.25伏
1.7伏~2伏
3V~3.6V
2.375伏~3.465伏
1.8伏~6伏
2.2V ~ 3.7V
2.65伏~3.6伏
2.7伏~3.6伏
更多
时钟频率:
45兆赫
375兆赫
333兆赫
450兆赫
1.33 GHz
800 kHz
250兆赫
4兆赫
85 MHz
6.5 MHz
401 kHz
50 MHz
30兆赫
360兆赫
133兆赫
34兆赫
75 MHz
15兆赫
5 MHz
3.4兆赫
1.5千兆赫
2千赫
266兆赫
87 MHz
56 MHz
400千赫
1.25兆赫
40兆赫
633 MHz
100兆赫
625 MHz
7 GHz
104兆赫
25兆赫
108兆赫
90 MHz
3兆赫
80 MHz
67 MHz
1.066千兆赫
550 MHz
54 MHz
2.133 GHz
10兆赫
33兆赫
125千赫
14兆赫
250千赫
8 MHz
183 MHz
300兆赫
225兆赫
533 MHz
267兆赫
52 MHz
65 MHz
166兆赫
120兆赫
143兆赫
20兆赫
350兆赫
86 MHz
1 GHz
312兆赫
28兆赫
1.6千兆赫
233兆赫
2兆赫
150兆赫
13兆赫
800 MHz
714 MHz
1.333千兆赫
933兆赫
1.067 GHz
167兆赫
278 MHz
125兆赫
357 MHz
500 MHz
900 kHz
675 MHz
667 MHz
1兆赫
366 MHz
1.25千兆赫
400兆赫
12兆赫
100千赫
16兆赫
113兆赫
1.2千兆赫
117兆赫
66 MHz
8 GHz
200兆赫
70 MHz
83 MHz
600 MHz
2.1兆赫
更多
存储容量:
16Kb (4K x 4)
256Gb (32G x 8)
16Mb (2M x 8, 1M x 16)
8Mb (512K x 18)
288Mb (16M x 18)
18Mb (512K x 36)
1Kb (128 x 8, 64 x 16)
4Kb (256 x 16)
2Mb (64K x 32)
4.5Mb (128K x 36)
1Mb (256K x 4)
16Kb (2K x 8, 1K x 16)
256Mb (16M x 16)
8Kb (512 x 16)
4Kb (512 x 8, 256 x 16)
32KB（32K x 8）
8Gb (512M x 16)
8Mb (256K x 32)
64Kb (64K x 1)
1Mb (64K x 16)
2Gb (128M x 16)
64Mb (8M x 8)
16Kb (1K x 16, 2K x 8)
8Gb
256KB
128Kb (16K x 8)
8Gb (1G x 8)
32Mb (8M x 4)
32Kb (4K x 8)
4Kb (512 x 8)
16Kb (2K x 8)
8Mb (512K x 16)
512Kb (64K x 8)
8Kb (1K x 8)
256Kb (32K x 8)
8Mb (1M x 8)
16Mb (2M x 8)
8Kb (256 x 8 x 4)
144Mb (4M x 36)
1Kb (256 x 4)
512Mb (16M x 32)
4Kb (256 x 8 x 2)
2Gb (256M x 8)
4Gb (128M x 32)
32Mb (2M x 16)
64Mb (4M x 16)
1Kb (128 x 8)
32Mb (4M x 8)
2Gb (64M x 32)
2Kb (128 x 16)
128Mb (2M x 16)
18Mb (512K x 32)
1Mb (128K x 8)
64Kb (8K x 8)
9Mb（256K x 36）
256Mb (32M x 8)
256Mb (8M x 32)
72Mb (4M x 18)
576Kb (16K x 36)
144Mb (8M x 18)
64Gb (8G x 8)
16Kb (1K x 16)
4Mb (1M x 4)
4Gb (512M x 8)
1Kb (64 x 16)
4Mb (2M x 2)
512Mb (64M x 8)
16Mb (1M x 16)
4Mb (512K x 8, 256K x 16)
2Mb (128K x 16)
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
288Kb (32K x 9)
36Mb (1M x 36)
256Kb (64K x 4)
256b (16 x 16)
4Mb (256K x 16)
4.5Mb (256K x 18)
72Mb (2M x 36)
8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
9Mb（512K x 18）
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
1.152Mb（64K x 18）
576Mb (8M x 72)
512Mb (32M x 16)
4Gb (256M x 16)
2Mb (256K x 8)
4Gb (1G x 4)
64Kb (4K x 16)
2Kb (256 x 8)
2Kb (256 x 8, 128 x 16)
1Mb (64K x 18)
4Mb (512K x 8)
18Mb (1M x 18)
32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
1Gb（128M x 8）
128Mb (4M x 32)
64Mb (2M x 32)
1Gb (64M x 16)
128Mb (16M x 8)
128Mb (8M x 16)
更多
制造厂商:
高通半导体 (GENITOP)
柯夏 (Kioxia)
英飞凌 (Infineon)
澜智 (Zetta)
加贺电子 (Kaga FEI)
联盟内存 (Alliance Memory )
夏普株式 (Sharp)
恩智浦 (NXP)
美国诺沃顿技术 (Nuvoton)
晶存 (Rayson)
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
慧荣科技 (Silicon Motion )
艾普凌科有限公司 (ABLIC)
阿德斯托 (Adesto)
Insignis (Insignis)
松下电子元件 (Panasonic)
维京 (Viking)
铠侠 (KIOXIA)
钰创 (Etron)
弗莱克森私人有限公司 (Flexxon Pte )
安世半导体 (Nexperia)
德国重离子研究中心 (GSI)
戴泺格 (Dialog)
东芝 (Toshiba)
华冠 (HGSEMI)
微芯 (Microchip)
ATP (ATP)
华邦电子 (Winbond)
江波龙 (FORESEE)
旺宏 (Macronix)
英锐芯 (IDCHIP)
首鼎半导体 (SHOUDING)
芯天下 (XTX)
美国微芯 (MICROCHIP)
费利蒙 (Fremont Micro)
米客方德 (MK)
罗姆 (Rohm)
镁光 (Micron)
美国芯成 (ISSI)
迪浦 (PUOLOP)
瑞士比特 (Swissbit)
博雅 (BOYAMICRO)
德州仪器 (Texas)
IDT公司 (IDT)
霍尼韦尔航天 (Honeywell)
海力士 (HYNIX)
兆易创新 (GigaDevice)
埃弗斯宾半导体 (Everspin)
普冉 (PUYA)
芯成 (ISSI)
杰盛微 (JSMSEMI)
视差 (Parallax)
模拟器件公司 (Analog)
三星半导体 (Samsung)
复旦微 (FM)
闪迪 (SANDISK)
富士通 (FUJITSU)
虹晶科技 (Socle)
辉芒微 (FMD)
金士顿 (Kingston)
罗切斯特电子 (Rochester)
航顺 (HK)
旭化成微器件 (Asahi Kasei)
东芯半导体 (Dosilicon)
瑞萨电子 (Renesas)
上海贝岭 (BL)
英特尔 (Intel RealSense)
日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro)
乐山无线电 (LRC)
更多
供应商设备包装:
8-TSSOP-B
32-PDIP
8-SO
32-TSOP II
44-SOJ
36-SOJ
86-TSOP II
SC-70-5
28-TSOP I
78-FBGA (8x10.5)
28-SOJ
32-LCC (11.43x13.97)
8-USON (4x4)
24-CSPBGA (6x8)
84-TWBGA (8x12.5)
SOT-23-6
54-TSOP II
32-PLCC（11.43x13.97）
8-DFN (5x6)
54-TFBGA (8x8)
60-TFBGA (8x13)
8-TSSOP
60-FBGA (8x10)
200-VFBGA (10x14.5)
56-TSOP
44-TSOP II
60-VFBGA (8x9)
64-FBGA (9x9)
24-BGA (8x6)
8-DFN (4x4.5)
8-UDFN (2x3)
8-MSOP
100-TQFP（14x20）
60-VFBGA (8x9.5)
16-SOP
48-FBGA (6x7)
28-PDIP
96-FBGA（9x13）
36-VFBGA（6x8）
8-WSON (6x8)
8-SOP
8-USON (2x3)
8-DIP
48-TFBGA (8x10)
90-TFBGA (8x13)
8-SOP-J
84-FBGA (8x12.5)
63-BGA (9x11)
96-FBGA（7.5x13.5）
8-WSON (6x5)
24-FBGA (6x8)
48-TFBGA (6x8)
64-LFBGA (9x9)
8-DIPK
60-FBGA (8x13)
8-UFDFPN (2x3)
32-TSOP
67-VFBGA (6.5x8)
48-FBGA (10x10)
8-DFN (2x3)
63-VFBGA (10.5x13)
8-UDFN (5x6)
VSON008X2030
8-VFBGA (1.5x2)
28-SOIC
64-LFBGA, CSP (11x13)
96-TWBGA（9x13）
48-TSOP
66-TSOP II
24-CDIP
8-PDIP
8-USON (1.5x1.5)
8-SOIJ
48-TFBGA
16-SOIC
134-TFBGA (10x11.5)
54-FBGA (8x8)
24-BGA (6x8)
8-WSON (5x6)
48-VFBGA (6x8)
90-FBGA (8x13)
32-TSOP I
63-VFBGA (9x11)
8-SOIC
32-SOP
24-VFBGA (6x8)
32-SOJ
32-VSOP
4-WLCSP (0.84x0.86)
32-PLCC（13.97x11.43）
63-TFBGA (9x11)
8-WSON (8x6)
96-FBGA（7.5x13）
28-TSOP
32-SOIC
165-FBGA (13x15)
8-WDFN (5x6)
48-miniBGA (7.2x8.7)
96-VFBGA（7.5x13）
24-EDIP
更多

当前"存储器"共 46738 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
CY7C1019DV33-10VXI 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ	¥37.51822	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥37.51822	添加到BOM 立即询价
11AA160T-I/MNY 微芯 (Microchip)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏时钟频率: 100千赫供应商设备包装: 8-TDFN (2x3)	¥2.82473	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥9,321.61230	添加到BOM 立即询价
S29GL512S10TFI010 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏供应商设备包装: 56-TSOP	¥46.58838	28850	2-3 工作日	- + 合计: ¥46.58838	立即购买加入购物车
24LC01BT-E/SN 微芯 (Microchip)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏时钟频率: 400千赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥2.46259	19500	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.46259	添加到BOM 立即询价
BR24S64FVT-WE2 罗姆 (Rohm)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏时钟频率: 400千赫供应商设备包装: 8-TSSOP-B	¥4.26684	3000	2-3 工作日	- + 合计: ¥4.26684	立即购买加入购物车
IS25LP064A-JMLE 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 16-SOIC	¥25.29624	2640	2-3 工作日	- + 合计: ¥25.29624	立即购买加入购物车
AS4C16M16SA-6TIN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫供应商设备包装: 54-TSOP II	¥40.27220	41637	2-3 工作日	- + 合计: ¥40.27220	立即购买加入购物车
CY7C146-15JC 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)	¥35.70750	156	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,178.15732	添加到BOM 立即询价
CY7C018-15AC 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (64K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）	¥495.99379	40	5-7 工作日	- + 合计: ¥495.99379	添加到BOM 立即询价
11AA160T-I/MS 微芯 (Microchip)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏时钟频率: 100千赫供应商设备包装: 8-MSOP	¥2.82473	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥7,061.82750	添加到BOM 立即询价
S29GL512S10TFI020 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏供应商设备包装: 56-TSOP	¥70.40099	5858	5-7 工作日	- + 合计: ¥70.40099	添加到BOM 立即询价
24AA025UIDT-I/SN 美国微芯 (MICROCHIP)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (128 x 8 x 2) 电源电压: 1.7伏~5.5伏时钟频率: 400千赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥33.75635	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥33.75635	立即购买加入购物车
S25FL128SAGMFBG00 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 16-SOIC	¥35.20049	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥35.20049	添加到BOM 立即询价
IS25WP064A-JKLE 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-WSON (6x5)	¥15.78880	1260	2-3 工作日	- + 合计: ¥15.78880	立即购买加入购物车
AT27LV520-70XU	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 3V~3.6V，4.5V~5.5V 供应商设备包装: 20-TSSOP	¥35.77993	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,182.57549	添加到BOM 立即询价
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI 芯成 (ISSI)	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 100兆赫供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)	¥38.96680	7975	5-7 工作日	- + 合计: ¥38.96680	添加到BOM 立即询价
11LC160T-I/MNY 微芯 (Microchip)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏时钟频率: 100千赫供应商设备包装: 8-TDFN (2x3)	¥2.82473	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥9,321.61230	添加到BOM 立即询价
GS8322Z36AGB-250IV 德国重离子研究中心 (GSI)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏时钟频率: 250兆赫供应商设备包装: 119-FPBGA（22x14）	¥623.83098	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥623.83098	添加到BOM 立即询价
S29GL512S10DHI010 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)	¥70.40099	111	5-7 工作日	- + 合计: ¥70.40099	添加到BOM 立即询价
93LC46BT-E/OT 微芯 (Microchip)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (64 x 16) 电源电压: 2.5伏~5.5伏时钟频率: 2兆赫供应商设备包装: SOT-23-6	¥2.46259	4572	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.46259	添加到BOM 立即询价

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