存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14) | ¥173.32260 | 542 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥173.32260 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 4-WLCSP (0.70x0.71) | ¥1.50725 | 6966 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.50725 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP | ¥36.57665 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.59870 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥90.02925 | 1860 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.02925 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥57.94320 | 1868 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥36.57665 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.59870 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-UFDFPN (2x3) | ¥1.57895 | 50501 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.57895 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥14.55823 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Kb (256 x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 22-PDIP | ¥57.94320 | 1629 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
256K X 8 ETOX FLASH | ¥2,274.41546 | 523 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,274.41546 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥10.71949 | 20488 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.77637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥27.52302 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Kb (32K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥20.13526 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.74356 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥683.36762 | 45 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥683.36762 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (8x11.6) | ¥194.32701 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,331.92408 | 添加到BOM 立即询价 | ||
STANDARD SRAM, 2KX8, 200NS, CMOS | ¥519.89536 | 889 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,599.47681 | 添加到BOM 立即询价 | ||
256KB NAND FLASH | ¥36.64907 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.94444 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM, 512KX36, 3.1NS PQFP1 | ¥132.90722 | 423 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,259.42266 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥14.55823 | 280 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (64 x 16) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (2x3) | ¥2.82473 | 1425 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 |