1953年，美国电气工程师“西德尼·达林顿”引进了达林顿晶体管或达林顿对。它是通过将两个晶体管连接在一起来配置的，这意味着一个晶体管的发射极端子作为偏置电流施加到另一个晶体管。根据极性、功耗、集电极电流、封装、CE电压等，有不同类型的达林顿晶体管。本文对2N5306 NPN达林顿晶体管，规格、电路图、应用程序。


什么是2N5306 NPN达林顿晶体管？

2N5306 NPN达林顿晶体管是通过将两个晶体管连接在一起而设计的。一个是NPN，另一个是PNP晶体管，组合在一个封装中，看起来像一个具有发射极、基极和集电极端子的普通晶体管。与普通晶体管相比，它提供了高电流增益。

它被用于功率调节器、音频放大器、电机控制单元等的各种应用。TO-92封装中提供的2N5306 NPN达林顿晶体管有三个端子，如发射极、基极和集电极，如下图所示。

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2N5306晶体管符号

NPN达林顿晶体管的主要规格是其高电流增益和高集电极电流（连续）。它显示了基于基极端子的输入电流的负载电流的放大。当输入电流被施加到晶体管的基极端子时，它被导通以允许负载电流的流动。晶体管处于导通状态时的负载电流的公式为，

负载电流=输入电流x晶体管增益

当负载需要高功率时，有必要增加晶体管的基极电流。在一些应用中，基极电流是有限的，不能通过增加基极电流来增加晶体管的增益。在这种情况下，使用达林顿晶体管。

2N5306通常被称为NPN达林顿晶体管，其电流增益约为20000，这使得它很容易在放大器应用中使用。允许通过它的最大电流高达1.2安培，这有助于在高电流的理想应用中使用。NPN达林顿晶体管的主要缺点是大约1.5伏的高基极电压。

引脚配置/引脚图

这个2N6306 NPN达林顿晶体管引脚配置/引脚图如下图所示。

2N5306 NPN Darlington Transistor
2N5306 NPN达林顿晶体管
  • 引脚1：（发射器）：这个引脚指的是发射极引脚，通常连接到地，以排出流经晶体管的电流。
  • 引脚2：（底座）：此引脚是指基极引脚，用于开关晶体管的导通或截止。它可以控制晶体管的偏置。
  • 引脚3：（集电极）：此引脚指的是连接到负载的集电极引脚或端子。电流流过这个引脚。

功能和规格

以下是技术特征或2N5306 NPN达林顿晶体管技术条件.

  • 这是一种NPN型达林顿晶体管，可在To-92封装上使用，具有3引脚发射极、基极和集电极。
  • 集电极电流Ic=100毫安时，直流电流增益（hfe）的典型值为20000（最小）和70000（最大）。
  • 发射极到基极的最大电压（VBE）为1.5伏
  • 最大连续集电极电流（Ic）为1.2安培
  • 集电极到发射极的最大电压（VCE）为25伏
  • 集电极到基极的最大电压（VCB）为25伏
  • 最大功耗为625mW（高于25°C时为5mW/°C）
  • 最大结-壳热阻为83.3°C/W。
  • 最大结与环境热阻为200°C/W。
  • Ic=10 mA，IB=0时的最小集电极到发射极击穿电压为25伏。
  • Ic=0.1微安，IE=0时，集电极到基极-发射极的最小电压为25V
  • IE=0.1微安，IC=0时的最小发射极到基极击穿电压为12V
  • VCB=25V，I=0时的最大截止集电极电流为0.1微安，T=100°C时为20微安
  • VEB=12V，IC=0时的最大截止发射极电流为0.1微安
  • 集电极到发射极的最小饱和电压为1.4V@IC=200mA，IB=0.2mA
  • 最小基极-发射极饱和电压为1.6V@IC=200mA，IB=0.2mA
  • 集电极到基极的最大电容为10pF@VCB=10V，f=1.0MHz
  • 小信号电流增益最大为7000@IC=2mA，VCE=5V，f=1kHz，以及6.0@IC=2mA，VCE=5V，f=10MHz。
  • 存储接点和操作温度的最小范围为-55°C至+150°C。

2N5306 NPN达林顿晶体管的替代方案是BC636、BC639、BC549、BC547、2N3055、2N2369、2N3906、2N3904、2N551和2SC5200以及等效于2N5306 NPN达林顿晶体管为2N5308。

如何选择达林顿晶体管？

达林顿晶体管是在需要高电流增益和放大的应用中选择的。这是因为正常的BJT提供有限的电流增益。Sziklai-Darlington对或交叉达林顿配置主要用于AB类放大器和推挽拓扑。

什么时候使用达林顿晶体管？

达林顿晶体管用于需要具有有限频率响应的高电流增益的几个应用中。当基极电流受到限制并且不能增加以增加晶体管的增益时，则使用达林顿晶体管。

2N5306 NPN达林顿晶体管的独特特性是什么？

2N5306 NPN达林顿晶体管的独特技术特征是，

  • 集电极基极电压VCBO：25V
  • 集电极-发射极电压VCEO:25V
  • 发射极基极电压VEBO：12V
  • 热阻：200°C/W
  • 功耗：625mW

如何使用2N5306 NPN达林顿晶体管/电路图？

达林顿晶体管广泛用于放大和开关应用，以提供高直流电流增益。现在，让我们从下面的电路图中了解如何使用2N5306 NPN达林顿晶体管作为开关。设计电路所需的电子元件如下所示。

2N5306 NPN Darlington Transistor as a Switch
2N5306 NPN达林顿晶体管作为开关
  • 发光二极管
  • 2N5306 NPN达林顿晶体管
  • 转换
  • 100K电阻器
  • 电源9V

按照上图所示连接电路。LED与达林顿晶体管相连。开关与传感器一起连接在晶体管的基极端子，以操作LED。为了保护达林顿晶体管，连接了100K电阻器。

如果开关闭合，则大于1.4伏的电压被施加到达林顿晶体管，达林顿晶体管变为有源，并允许电流通过负载。因此，LED导通，并且以高强度发射光，而与基极端子处的电阻无关。

如果开关断开，则晶体管在截止模式下工作，通过负载的电流为零。这使得LED处于关闭状态。

在何处使用/应用

这个2N2306 NPN达林顿晶体管的应用如下所示，

  • 它用于高电流（约51）负载的切换
  • 用于信号增益增强器
  • 用于音频放大器。
  • 用作中型电源开关
  • 用于各种电路以实现高放大
  • 用于整流器和其他逆变器电路。

请参阅此链接了解更多关于2N5306 NPN达林顿晶体管数据表的信息

因此，NPN 2N6306达林顿晶体管提供高电流增益，并且容易地从高输入阻抗切换到低输入阻抗，反之亦然。它在一个外壳中设计了两个晶体管，需要配置的组件更少。这里有一个问题要问你，“2N5306 NPN达林顿晶体管有什么优势？”