三星推出业界首款24 Gbps GDDR6 DRAM
三星开始对新的16 Gbps GDDR6 DRAM进行采样,该DRAM具有24 Gb/s的速度,为下一代计算系统提供动力。2022年7月30日作者:Darshil Patel
图形双倍数据速率6(GDDR6)DRAM(动态随机存取存储器)是一种高速同步存储器技术,专门用于需要高带宽的应用,如图形处理单元(GPU)和高性能计算。
尽管GDDR主要用于图形驱动的应用程序,但它最近已进入汽车和网络应用程序。
随着GDDR存储器在人工智能中的应用越来越多,三星最近宣布,它已经开始对其具有24 Gb/s速度的16 Gb GDDR6 DRAM进行采样,并声称与三星之前的18 Gb/s产品相比,它可以提供30%的速度。此外,三星相信它可以在一秒钟内传输高达1.1 Tb的数据,并具有低功耗选项,以延长设备的电池寿命。
三星最新的GDDR6 DRAM。图片由三星提供
考虑到这一创新,我们将首先简要介绍GDDR6,然后了解三星最新的GDDR6。
GDDR6简介
GDDR SDRAM共享双倍数据速率(DDR)SDRAM的一些功能,例如使用DDR传输数据。然而,它们在性能方面可能非常不同。此外,GDDR6是GDDR5的继任者,其特点是每引脚带宽为16 Gbit/s,工作电压较低,为1.35 V,从而提高了性能并降低了功耗。
至于应用程序,我们提到GDDR最近已经进入了更多领域。一些例子是GDDR RAM如何为自动驾驶的视觉仪表盘和基于人工智能(AI)的高级驾驶员辅助系统(ADAS)提供动力。其他应用包括增强现实(AR)、虚拟现实(VR)和数据中心的网络接口卡(NIC)。
Micron的GDDR6、GDDR5和DDR4的示例比较。屏幕截图由美光提供
DDR存储器设计用于极低延迟,以尽可能快地传输小的缓存数据位。另一方面,GDDR被设计用于移动大量数据,这在具有巨大数据集的图形工作负载和人工智能工作负载中很常见。因此,GDDR需要允许宽带宽的宽内存总线。
关于发展,DDR在以牺牲带宽为代价关注密度的同时,继续提高速度。另一方面,GDDR专注于高带宽。GDDR4的运行速度为1.6 Gb/s–3.2 Gb/s,GDDR5最高可达6 Gb/s,现在GDDR6达到16 Gb/s及以上。
随着吞吐量的显著提高,GDDR6在保持标准封装的同时,进一步拓宽了其应用范围,并在数据中心的NIC中得到了应用。
三星的24 Gb/s GDDR6 DRAM
为了继续在GDDR行业掀起波澜,三星最近开始对其具有24 Gb/s处理速度的16 Gb GDDR6 DRAM进行采样。它基于三星的第三代10纳米工艺,采用极紫外(EUV)技术,这是一种使用极紫外波长的光学光刻技术。
新的GDDR6旨在满足对更高图形功能日益增长的需求,并同时在人工智能驱动的应用程序中处理大型数据集。
此前在2018年1月,三星声称已开始大规模生产业界首款处理速度为18 Gb/s的16 Gb GDDR6 DRAM。
三星的16 Gb GDDR6 DRAM。图片由三星提供
它每秒可以传输72 Gb的数据,工作电压为1.35 V,这比运行电压为1.55 V的GDDR5存储器功耗更低。该DRAM用于NVIDIA基于图灵架构的Quadro RTX GPU,目标是8k超高清处理、VR、AR和AI应用。
至于24 Gb/s解决方案,它们采用高绝缘材料和创新电路设计,可将泄漏电流降至最低。因此,与18 Gb/s解决方案相比,它的速度提高了30%。关于这种DRAM的设计,在半导体制造工艺中使用高k介电材料或具有高介电常数的材料,其中它们通常用于代替二氧化硅栅极电介质。
当晶体管栅极的厚度在几纳米以下时,由于隧道效应,漏电流急剧增加。高-k材料允许在没有泄漏效应的情况下获得更高的电容。
三星的新GDDR6产品还具有低功耗选项和动态电压开关(DVS)技术,可根据性能要求调整工作电压。此外,新RAM声称完全符合JEDEC规范,这意味着它将兼容所有GPU设计,有助于更快地进入市场。
随着本月开始的客户验证,三星宣布将根据GPU平台的发布,将其24 Gbps GDDR6 DRAM商业化,以适应高速计算市场。