IGBT是一种广泛应用于电力电子和电动车等领域的半导体器件，它是继MOSFET和BJT之后，新一代功率开关器件。本文将对IGBT进行介绍和分析。

一、概述

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又称绝缘栅双极晶体管，是一种结合了晶体管（MOSFET）和双极晶体管（BJT）的半导体器件。它具有低导通压降、大电流承受能力和高频响应等优点，广泛应用于各种交流变直流、直流变交流的电力电子应用领域。

二、结构

IGBT主要由P型硅基片、N型硅基片、绝缘层和栅极组成。与MOSFET类似，栅极是用于控制电流的部分，通过在栅极施加电压来控制源极和漏极之间的电流。而与BJT类似，IGBT有一个基区和PN结，也有一个Emitter、Base、Collector三极，用于电流的控制和传输。

三、工作原理

在IGBT中，通过控制栅极的电压，可以控制PN结的导通和截止，从而控制电流的传输。当栅极电压为正时，P型区的空穴被吸引到绝缘层下面的N型区域，形成一条导电通道，使PN结导通。当栅极电压为负时，导电通道被截止，IGBT进入阻断状态。

四、应用

IGBT广泛应用于各种电力电子应用中，例如交流变直流的整流电路、直流变交流的逆变电路、直流电动机的变频调速控制等等。IGBT在电力电子应用中具有很高的性价比，功率密度高，损耗低，可靠性高等优点。

此外，IGBT还被广泛应用于电动汽车、电动机车和电力系统的控制器中，其高效率和低损耗的特性使得这些应用变得更加可靠和高效。

五、总结

本文介绍了IGBT的概念、结构、工作原理和应用。IGBT作为一种新型功率器件，具有优异的性能和广泛的应用前景。在未来的发展中，IGBT将会在电力电子、电动汽车和电力系统等领域发挥越来越重要的作用。