品牌介绍
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.8mΩ@10V,10A | ¥1.01183 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.01183 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,5A | ¥0.33680 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.33680 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,12A | ¥0.84887 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.84887 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥2.71144 | 9221 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.71144 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,6A | ¥0.50760 | 4625 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.50760 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,10A | ¥1.50653 | 3810 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.50653 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥4.98148 | 8255 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.98148 | 立即购买 加入购物车 |