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品牌介绍

安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。 安世 已从事本专业领域半个多世纪,在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。

英文全称: Nexperia

中文全称: 安世

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.cn

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描述
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PDTC124EQAZ
PDTC124EQAZ
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3

¥0.35329

0

2-3 工作日

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合计: ¥1,766.47000

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PDTB123EUF
PDTB123EUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.35495

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,549.53000

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PDTB123YUF
PDTB123YUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.35495

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,549.53000

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PDTD113EUF
PDTD113EUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.35495

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,549.53000

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PDTD114EUF
PDTD114EUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.35495

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,549.53000

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PDTD123YUF
PDTD123YUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.35495

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,549.53000

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PDTC124TT,215
PDTC124TT,215
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.25120

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25120

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PDTA144ET,235
PDTA144ET,235
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.28769

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.28769

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PDTA144ET,215
PDTA144ET,215
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.10720

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10720

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PDTA144EU,115
PDTA144EU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.21300

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,194.98500

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PDTC123TT,215
PDTC123TT,215
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-23

¥0.25578

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,836.64000

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PDTB123EQAZ
PDTB123EQAZ
PDTB113/123/143/114EQA SERIES -

¥0.21643

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,138.13173

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PDTD123YQAZ
PDTD123YQAZ
NEXPERIA PDTD123 - 50 V, 500MA N

¥0.40993

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,049.65895

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PDTA113ZT,215
PDTA113ZT,215
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.16659

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥499.76100

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PDTC144VT,215
PDTC144VT,215
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.18381

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥551.43000

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PDTC115ET,215
PDTC115ET,215
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.29193

2880

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.29193

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PDTC114YT,215
PDTC114YT,215
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.13617

31

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13617

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PDTC114EU,115
PDTC114EU,115
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.08257

13

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08257

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PDTD143XTR
PDTD143XTR
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.20819

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.20819

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PDTC123ET,215
PDTC123ET,215
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.11009

9000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11009

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