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品牌介绍

安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。 安世 已从事本专业领域半个多世纪,在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。

英文全称: Nexperia

中文全称: 安世

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.cn

久芯自营
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品牌型号
描述
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PDTA143TM,315
PDTA143TM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27299

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,729.92000

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PDTA124TM,315
PDTA124TM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27299

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,729.92000

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PDTC143EM,315
PDTC143EM,315
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.37346

10000

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,734.58000

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PDTC124TM,315
PDTC124TM,315
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27299

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,729.92000

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PDTA144EM,315
PDTA144EM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27299

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,729.92000

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PDTA143XM,315
PDTA143XM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27299

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,729.92000

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PDTA114EM,315
PDTA114EM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.32136

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,213.60000

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PDTA143ZM,315
PDTA143ZM,315
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.14124

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,412.37000

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PDTC115EM,315
PDTC115EM,315
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.26292

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,629.17000

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NHDTA114ETVL
NHDTA114ETVL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.21407

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,140.71000

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NHDTA124ETVL
NHDTA124ETVL
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.21407

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,140.71000

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PDTC143XM,315
PDTC143XM,315
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.27299

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,729.92000

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PDTC114EM,315
PDTC114EM,315
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883

¥0.14124

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,412.37000

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NHDTC114YUF
NHDTC114YUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 235毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.22828

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22828

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NHDTA123JUX
NHDTA123JUX
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 235毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.32813

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥984.39600

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NHDTA124EUX
NHDTA124EUX
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 235毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.32813

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥984.39600

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PDTB123ET,215
PDTB123ET,215
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.45646

4290

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.45646

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PDTD114ETVL
PDTD114ETVL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.30553

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,055.34000

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PDTB143ETR
PDTB143ETR
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.37022

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.37022

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PDTC123JT,215
PDTC123JT,215
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.11009

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11009

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