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品牌介绍

时科,源自台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用等产品带来更优质的感知体验。 自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。 时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。

英文全称: SHIKUES

中文全称: 时科

英文简称: SHIKUES

品牌地址: http://www.shikues.com/

久芯自营
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BC817
BC817
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V

¥0.14410

31820

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14410

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PXT8050
PXT8050
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 200-350

¥0.17383

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17383

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S9018
S9018
暂无

¥0.07315

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07315

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A733
A733
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):200mW

¥0.03694

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.03694

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FMMT591
FMMT591
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V

¥0.15138

2970

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15138

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2SA812
2SA812
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,6V 300~400

¥0.10657

5100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10657

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BC847
BC847
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW

¥0.08864

15100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08864

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PXT8550
PXT8550
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):500mW

¥0.17166

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17166

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BCX53
BCX53
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V 63-250 AH

¥0.25495

930

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25495

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2SD1624
2SD1624
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):2.5W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):32@100mA,2V

¥0.26364

990

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.26364

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FMMT618
FMMT618
暂无

¥0.15572

2750

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15572

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2SC4226
2SC4226
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):12V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@7mA,3V

¥0.23400

7210

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23400

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KTA1505Y
KTA1505Y
集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V

¥0.12950

6000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12950

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2SD1623
2SD1623
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):1W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V

¥0.23037

1030

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23037

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2SC3357-RE
2SC3357-RE
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):12V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):1.2W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@20mA,10V

¥0.49471

1885

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.49471

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2SA1797R
2SA1797R
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):82@500mA,2V

¥0.29673

4620

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.29673

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MMBZ5V6A
MMBZ5V6A
极性:单向 反向截止电压(Vrwm):3V 击穿电压:5.32V 最大钳位电压:8V

¥0.18138

3060

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18138

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MMBZ6V2A
MMBZ6V2A
极性:单向 反向截止电压(Vrwm):3V 击穿电压:5.89V 最大钳位电压:8.7V

¥0.14486

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14486

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ESD5Z2.5
ESD5Z2.5
暂无

¥0.10576

10900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10576

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1N4007F
1N4007F
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A m7s

¥0.04491

2990

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.04491

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