时科,源自台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用等产品带来更优质的感知体验。 自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。 时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.04418 | 1316 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.10455 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.03694 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.10817 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: SOT-23 | ¥0.13401 | 107760 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥772.95814 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 1 W 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SOT-223-4 | ¥0.53724 | 4785 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,198.04966 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.06312 | 5400 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06312 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.18469 | 688 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18469 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.25495 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.25495 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):18V 连续漏极电流(Id):3.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@4.5V,3.6A | ¥0.11589 | 630 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11589 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@5V,200mA | ¥0.36142 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36142 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.21656 | 1525 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21656 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.15572 | 2600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15572 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):16V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@4.5V,3A | ¥0.11589 | 2960 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11589 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):16V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@4.5V,3A | ¥0.22730 | 39660 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22730 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@4.5V,3.6A | ¥0.28899 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28899 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A | ¥0.32014 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32014 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,3.6A | ¥0.34997 | 16110 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34997 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.19438 | 10560 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19438 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.32987 | 10470 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32987 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V BL 100-250 | ¥0.29334 | 10390 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.29334 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,6V 200~400 | ¥0.10253 | 10650 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10253 | 立即购买 加入购物车 |