品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50毫安 (Tj) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.67508 | 28 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.67508 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 175毫安（Tj） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.96479 | 349 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.96479 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 54毫安 (Tj) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.06523 | 246 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.06523 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Tj） 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.97880 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.97880 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 (Tj) 最大功耗: 360mW (Tc) 供应商设备包装: TO-39 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥120.81157 | 197 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.81157 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Tj） 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.84795 | 451 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.84795 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: 同位素 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥449.34952 | 61 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥449.34952 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Tj） 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 | 584 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.41817 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安（Tj） 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.22889 | 980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.22889 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 64A (Tc) 最大功耗: 2.2W（Ta） 供应商设备包装: 8-PDFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 | 2975 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.62145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tj) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.24290 | 650 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.24290 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 450毫安 (Ta) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.96719 | 381 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.96719 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 9 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 330毫安 (Tj) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-5 工作温度: -25摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥3.83874 | 2315 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 330毫安 (Tj) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.28492 | 662 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.28492 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26 | ¥47.65828 | 210 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.65828 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 供应商设备包装: D3PAK | ¥40.84996 | 139 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.84996 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24 | ¥41.50182 | 181 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.50182 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Tj） 最大功耗: 400mW (Ta), 1W (Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 | 1967 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.41817 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥114.94482 | 414 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥114.94482 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Tj） 最大功耗: 360mW (Tc) 供应商设备包装: TO-39 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥115.45183 | 456 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.45183 | 添加到BOM 立即询价 |