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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
DRA5124X0L
DRA5124X0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA5144W0L
DRA5144W0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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UNR31A1G0L
UNR31A1G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥2.96959

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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DRA5152Z0L
DRA5152Z0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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UNR31AMG0L
UNR31AMG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥0.72429

19967

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRA5L14Y0L
DRA5L14Y0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA5113Z0L
DRA5113Z0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

5615

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA5123E0L
DRA5123E0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

5322

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA5144E0L
DRA5144E0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

5102

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA5143Y0L
DRA5143Y0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

4740

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRC3115G0L
DRC3115G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.11445

3824

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA5115E0L
DRA5115E0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA5115G0L
DRA5115G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRC5115T0L
DRC5115T0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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UNR211V00L
UNR211V00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.72429

23900

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRC5143Y0L
DRC5143Y0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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UNR911AG0L
UNR911AG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.44858

314

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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DRC2124T0L
DRC2124T0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: MINI3-G3-B

¥2.96959

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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DRC5124T0L
DRC5124T0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥3.11445

2996

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRC2144E0L
DRC2144E0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: MINI3-G3-B

¥2.96959

4301

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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