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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
DRC3144W0L
DRC3144W0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.11445

19536

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA3143Z0L
DRA3143Z0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.11445

19457

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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DRA3114Y0L
DRA3114Y0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.11445

13980

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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UNR31A900L
UNR31A900L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.60439

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.60439

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UNR32A700L
UNR32A700L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.71635

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.71635

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UNR421200A
UNR421200A
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: NS-B1

¥1.53887

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.53887

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UNR42160RA
UNR42160RA
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: NS-B1

¥0.83328

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.83328

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UNR421K00A
UNR421K00A
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: NS-B1

¥1.86867

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.86867

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UNR511T00L
UNR511T00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.94110

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.94110

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UNR521T00L
UNR521T00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.13217

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.13217

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UNR521W00L
UNR521W00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.78810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.78810

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UNR522600L
UNR522600L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.53053

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.53053

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UNR911DJ0L
UNR911DJ0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.93258

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.93258

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UNR921CJ0L
UNR921CJ0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥0.84497

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.84497

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UNR921KJ0L
UNR921KJ0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.91663

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.91663

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XP0NG8A00L
XP0NG8A00L
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMINI6-G1

¥1.30278

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30278

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