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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
DRC5123J0L
DRC5123J0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥1.37615

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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DRC9A14E0L
DRC9A14E0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B

¥1.23726

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.23726

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UNR31A4G0L
UNR31A4G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.29490

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.29490

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UNR31A5G0L
UNR31A5G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.49974

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.49974

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UNR31A6G0L
UNR31A6G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.69761

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.69761

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UNR32A3G0L
UNR32A3G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.89266

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.89266

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UNR32A5G0L
UNR32A5G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.40512

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.40512

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UNR32A6G0L
UNR32A6G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥2.23081

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.23081

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UNR32AEG0L
UNR32AEG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.22243

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.22243

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UNR32ANG0L
UNR32ANG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.14473

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.14473

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UNR5111G0L
UNR5111G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.48884

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.48884

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UNR5112G0L
UNR5112G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.44858

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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UNR5114G0L
UNR5114G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥2.27427

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.27427

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UNR511LG0L
UNR511LG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥2.15024

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.15024

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UNR511NG0L
UNR511NG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.76775

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.76775

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UNR5210G0L
UNR5210G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.63012

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.63012

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UNR5211G0L
UNR5211G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.73830

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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UNR5213G0L
UNR5213G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.53616

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.53616

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UNR521FG0L
UNR521FG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.68035

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.68035

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UNR521MG0L
UNR521MG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.30372

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.30372

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