品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UNR911FG0L
UNR911FG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.03799

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.03799

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UNR51ANG0L
UNR51ANG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.72429

5610

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR31AE00L
UNR31AE00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.63012

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.63012

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UNR911HG0L
UNR911HG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥2.14390

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.14390

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UNR52A3G0L
UNR52A3G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.72429

4694

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR32A000L
UNR32A000L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.40970

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.40970

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UNR911LG0L
UNR911LG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.11935

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.11935

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UNR52A6G0L
UNR52A6G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.72429

5948

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR32A100L
UNR32A100L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.63158

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.63158

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UNR911NG0L
UNR911NG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.61646

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.61646

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UNR52A8G0L
UNR52A8G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.72429

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR911TG0L
UNR911TG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.58598

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.58598

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UNR32A400L
UNR32A400L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.56447

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.56447

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UNR52AFG0L
UNR52AFG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.37615

5090

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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UNR9210G0L
UNR9210G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.91213

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.91213

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UNR32A600L
UNR32A600L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.76165

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.76165

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UNR5119G0L
UNR5119G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥3.04202

5997

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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UNR9216G0L
UNR9216G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.68916

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.68916

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UNR32AA00L
UNR32AA00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.52698

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52698

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UNR9217G0L
UNR9217G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥2.24530

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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