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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
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操作
UNR921NJ0L
UNR921NJ0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.10863

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.10863

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UNR921VJ0L
UNR921VJ0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.76049

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.76049

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UNRL11100A
UNRL11100A
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: ML4-N1

¥1.06627

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.06627

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UNRL11300A
UNRL11300A
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: ML4-N1

¥1.71351

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.71351

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UNRL11500A
UNRL11500A
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: ML4-N1

¥1.54146

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.54146

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UNRL21100A
UNRL21100A
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: ML4-N1

¥1.30788

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.30788

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UNRL21300A
UNRL21300A
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: ML4-N1

¥1.82805

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.82805

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UNRL21500A
UNRL21500A
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: ML4-N1

¥1.63632

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.63632

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UNR311300L
UNR311300L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.46307

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.46307

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UNR321600L
UNR321600L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.92809

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.92809

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UNR321N00L
UNR321N00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.81187

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.81187

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UNR311100L
UNR311100L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.34718

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.34718

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UNR321000L
UNR321000L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.22631

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.22631

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UNR212100L
UNR212100L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.80621

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.80621

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UNR212300L
UNR212300L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.38360

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.38360

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UNR212400L
UNR212400L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.91213

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.91213

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UNR222100L
UNR222100L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.41087

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.41087

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UNR222200L
UNR222200L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.52414

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.52414

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UNR222400L
UNR222400L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.56495

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5-7 工作日

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合计: ¥0.56495

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UNR212X00L
UNR212X00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.35250

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合计: ¥1.35250

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