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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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描述
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UNR9116J0L
UNR9116J0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥0.76097

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.76097

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UNR9116G0L
UNR9116G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.76727

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.76727

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UNR9214J0L
UNR9214J0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.50348

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.50348

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UNR9117G0L
UNR9117G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.86544

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5-7 工作日

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合计: ¥0.86544

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UNR921TJ0L
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥0.86511

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.86511

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UNR9118G0L
UNR9118G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.87748

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.87748

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UNR911EJ0L
UNR911EJ0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.18611

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.18611

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UNR911FJ0L
UNR911FJ0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.21918

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.21918

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UNR911HJ0L
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.83118

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.83118

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UNR911LJ0L
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.66981

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5-7 工作日

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合计: ¥1.66981

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UNR911NJ0L
UNR911NJ0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.93193

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.93193

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UNR921DJ0L
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.57895

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.57895

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UNR921EJ0L
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.87064

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.87064

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UNR921FJ0L
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.23129

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.23129

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UNR921LJ0L
UNR921LJ0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.26477

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.26477

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UNR911AJ0L
UNR911AJ0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥2.31773

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.31773

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UNR911BJ0L
UNR911BJ0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.30904

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.30904

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UNR911MJ0L
UNR911MJ0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.73105

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合计: ¥1.73105

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UNR921AJ0L
UNR921AJ0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.10716

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合计: ¥1.10716

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UNR921BJ0L
UNR921BJ0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥0.90826

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