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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
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UNR9210J0L
UNR9210J0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.62241

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.62241

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UNR511VG0L
UNR511VG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.17786

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.17786

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UNR9112J0L
UNR9112J0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.26993

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.26993

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UNR5212G0L
UNR5212G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.28604

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.28604

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UNR9216J0L
UNR9216J0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥2.60744

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.60744

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UNR5217G0L
UNR5217G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.57994

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5-7 工作日

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合计: ¥1.57994

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UNR9215J0L
UNR9215J0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.62241

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5-7 工作日

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合计: ¥1.62241

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UNR5218G0L
UNR5218G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.88734

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.88734

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UNR9110J0L
UNR9110J0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.44361

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.44361

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UNR5219G0L
UNR5219G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥2.04250

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.04250

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UNR9117J0L
UNR9117J0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.44006

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.44006

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UNR521DG0L
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.88925

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.88925

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UNR911TJ0L
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.41225

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.41225

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UNR521TG0L
UNR521TG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.97587

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.97587

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UNR9212J0L
UNR9212J0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.53902

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.53902

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UNR521WG0L
UNR521WG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 100兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.50195

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.50195

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UNR9211J0L
UNR9211J0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.99406

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.99406

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UNR9112G0L
UNR9112G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.07711

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.07711

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UNR9119J0L
UNR9119J0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.67118

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5-7 工作日

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合计: ¥1.67118

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UNR9115G0L
UNR9115G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥2.05698

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合计: ¥2.05698

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