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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UNR211L00L
UNR211L00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.76207

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.76207

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UNR51AVG0L
UNR51AVG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.41334

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.41334

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UNR221100L
UNR221100L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.60719

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.60719

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UNR52A0G0L
UNR52A0G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.89331

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.89331

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UNR221200L
UNR221200L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.10563

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.10563

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UNR52A2G0L
UNR52A2G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.90728

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.90728

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UNR221400L
UNR221400L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.15207

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.15207

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UNR52A5G0L
UNR52A5G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.19449

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.19449

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UNR221500L
UNR221500L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.88512

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88512

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UNR52AEG0L
UNR52AEG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.56447

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.56447

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UNR221800L
UNR221800L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥2.33221

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.33221

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UNR52ALG0L
UNR52ALG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.75278

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.75278

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UNR221F00L
UNR221F00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.87112

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.87112

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UNR52AMG0L
UNR52AMG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.54998

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.54998

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UNR221K00L
UNR221K00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.67184

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.67184

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UNR52ANG0L
UNR52ANG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.52530

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52530

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UNR221L00L
UNR221L00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.59137

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.59137

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UNR52AVG0L
UNR52AVG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.92409

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.92409

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UNR221N00L
UNR221N00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.84567

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.84567

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UP0KG8D00L
UP0KG8D00L
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini5-F2

¥0.95931

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.95931

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