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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
UNR211M00L
UNR211M00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.30372

2671

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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UNR9213J0L
UNR9213J0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥0.72429

769

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR221000L
UNR221000L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.72429

192

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR5113G0L
UNR5113G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.37615

2690

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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UNR52A1G0L
UNR52A1G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.37615

2670

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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DRC9A43E0L
DRC9A43E0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B

¥1.25530

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.25530

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UNR32AE00L
UNR32AE00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥2.46259

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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DRA9A24E0L
DRA9A24E0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B

¥0.83698

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.83698

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UNR32AM00L
UNR32AM00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥2.04250

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.04250

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DRA9A14Y0L
DRA9A14Y0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B

¥2.12941

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.12941

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UNR32AN00L
UNR32AN00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.24268

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.24268

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UNR521E00L
UNR521E00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.44858

3945

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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UNR32AT00L
UNR32AT00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.36051

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.36051

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UNRF1A400A
UNRF1A400A
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: ML3-N2

¥0.82082

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.82082

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UNR31AM00L
UNR31AM00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.16931

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.16931

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UNR32AB00L
UNR32AB00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥2.03572

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.03572

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UNR921MJ0L
UNR921MJ0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F1

¥1.44858

2880

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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UNR211100L
UNR211100L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.64188

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.64188

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UNR211200L
UNR211200L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.79821

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.79821

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UNR211400L
UNR211400L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.84862

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.84862

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