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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UNR31A400L
UNR31A400L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.72429

9746

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRC3143X0L
DRC3143X0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.33173

9985

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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UNR31AN00L
UNR31AN00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.72429

8607

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRC3124E0L
DRC3124E0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.33173

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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UNR31A500L
UNR31A500L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.72429

8421

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRC3114W0L
DRC3114W0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.33173

8898

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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UNR32A500L
UNR32A500L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.72429

8333

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRC3143E0L
DRC3143E0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.33173

3061

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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UNR31A3G0L
UNR31A3G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥0.72429

8218

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRA3123Y0L
DRA3123Y0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.40416

9980

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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UNR31A300L
UNR31A300L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.72429

7855

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRA3143E0L
DRA3143E0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.40416

9259

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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UNR32A300L
UNR32A300L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.72429

7348

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRA3144V0L
DRA3144V0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B

¥3.40416

6763

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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UNR32A4G0L
UNR32A4G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥0.72429

5534

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR211N00L
UNR211N00L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.72429

3965

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR211000L
UNR211000L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.72429

2890

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR515400L
UNR515400L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-G1

¥0.72429

2790

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR211300L
UNR211300L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: Mini3-G1

¥0.72429

2375

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR32A1G0L
UNR32A1G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥0.72429

2343

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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