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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
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操作
UNR92AEG0L
UNR92AEG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.81073

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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UNR521300L
UNR521300L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.81073

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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UNR92AFG0L
UNR92AFG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.79672

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.79672

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UNR521400L
UNR521400L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.12700

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.12700

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UNR92ALG0L
UNR92ALG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥2.14390

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.14390

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UNR521500L
UNR521500L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥0.92673

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.92673

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UNR92AMG0L
UNR92AMG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥2.33221

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.33221

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UNR521600L
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.03330

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.03330

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UNR92AVG0L
UNR92AVG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.87512

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.87512

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UNR521700L
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥0.91261

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.91261

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UNR31A0G0L
UNR31A0G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.07398

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.07398

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UNR521800L
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥0.72630

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.72630

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UNR31AEG0L
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.14969

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.14969

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UNR521900L
UNR521900L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.19751

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.19751

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UNR31ANG0L
UNR31ANG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥1.44822

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44822

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UNR521D00L
UNR521D00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥2.33221

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.33221

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UNR32AAG0L
UNR32AAG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥0.44496

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.44496

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UNR521F00L
UNR521F00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥1.20281

9000

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合计: ¥1.20281

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UNR32AMG0L
UNR32AMG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSSMini3-F2

¥0.51930

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合计: ¥0.51930

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UNR521L00L
UNR521L00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-G1

¥0.72429

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