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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UNR411200A
UNR411200A
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: NS-B1

¥0.99100

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.99100

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UNR411300A
UNR411300A
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: NS-B1

¥0.95380

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.95380

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UNR421300A
UNR421300A
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: NS-B1

¥1.39064

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.39064

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UNR421800A
UNR421800A
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: NS-B1

¥1.55948

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.55948

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UNR311200L
UNR311200L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.89764

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.89764

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UNR221E00L
UNR221E00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.30372

31720

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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UNR221M00L
UNR221M00L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.30372

27919

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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UNR221900L
UNR221900L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1

¥1.30372

5606

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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UNR5214G0L
UNR5214G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.37615

5678

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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UNR9119G0L
UNR9119G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.99348

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.99348

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UNR5215G0L
UNR5215G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.72429

3567

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR911BG0L
UNR911BG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.54112

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.54112

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UNR521LG0L
UNR521LG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.37615

4437

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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UNR31A000L
UNR31A000L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥2.37567

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.37567

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UNR911DG0L
UNR911DG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.31821

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.31821

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UNR521NG0L
UNR521NG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SMini3-F2

¥1.37615

5116

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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UNR31A100L
UNR31A100L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥0.77337

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.77337

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UNR911EG0L
UNR911EG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.08723

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.08723

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UNR51AMG0L
UNR51AMG0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SMini3-F2

¥0.72429

5394

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR31A600L
UNR31A600L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1

¥1.66824

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66824

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