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品牌介绍

美国松下工业设备销售公司是北美松下公司的工业部件和电子设备部门。美国松下工业设备销售公司(Panasonic Industrial Devices Sales Company of America)提供关键部件,为每天数百万人使用的家用电器、消费电子产品、计算机、通信以及商业和医疗保健产品提供动力。我们广泛提供高质量的工业产品、全球制造和先进的研发设施,以及我们对客户服务的承诺,使我们成为世界上最著名的高科技电子产品原始设备制造商的首选供应商。从最小的电阻到最高技术的无线通信模块,松下提供了一切!选择松下不仅仅意味着选择一个你知道和信任的名字。这意味着选择行业能够提供的最佳质量组件。

英文全称: Panasonic Electronic Components

中文全称: 松下电子元件

英文简称: Panasonic

品牌地址: http://na.industrial.panasonic.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UNR921MG0L
UNR921MG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.72429

4751

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR9218G0L
UNR9218G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.95558

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.95558

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UNR921AG0L
UNR921AG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.63948

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.63948

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UNR92ANG0L
UNR92ANG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.72429

4170

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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UNR921BG0L
UNR921BG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.76230

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.76230

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UNR9110G0L
UNR9110G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥3.18688

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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UNR921CG0L
UNR921CG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.21681

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.21681

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UNR9113G0L
UNR9113G0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.44858

5840

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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UNR921DG0L
UNR921DG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.33362

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.33362

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UNR9212G0L
UNR9212G0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥3.18688

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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UNR921FG0L
UNR921FG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥0.91208

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.91208

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UNR921KG0L
UNR921KG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.22331

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.22331

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UNR921NG0L
UNR921NG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.41463

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.41463

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UNR921TG0L
UNR921TG0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: SSMini3-F3

¥1.26797

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.26797

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DRC2113Z0L
DRC2113Z0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: MINI3-G3-B

¥1.63723

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.63723

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DRA2114E0L
DRA2114E0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: MINI3-G3-B

¥0.87558

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.87558

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DRA5114E0L
DRA5114E0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B

¥1.73223

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73223

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DRA2143X0L
DRA2143X0L
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: MINI3-G3-B

¥2.96959

733

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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DRC9114Y0L
DRC9114Y0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B

¥1.39064

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.39064

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DRC2114T0L
DRC2114T0L
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: MINI3-G3-B

¥2.96959

337

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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