品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8 | ¥14.91856 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44,755.68900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.54446 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,544.45800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥92.78155 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥92.78155 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.34736 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,808.41660 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.58864 | 64 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.58864 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) 最大功耗: 2.8W（Ta）、160W（Tc） 供应商设备包装: PowerFLAT（8x8） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥66.77954 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.77954 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.36656 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.03010 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,030.10400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.05799 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,057.98900 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.49946 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,499.46200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.90935 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,909.34600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.92325 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,923.25300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A (Tc) 最大功耗: 446W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥94.59227 | 23 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.59227 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥40.22439 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,134.63220 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 600V TO-220FP | ¥6.80398 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,803.98000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 109W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.12774 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45,383.21400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.72870 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.72870 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.69786 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,697.86300 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.71177 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,711.76900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.99156 | 90 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,991.56200 | 立即购买 加入购物车 |