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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

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品牌型号
描述
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STE60N105DK5
STE60N105DK5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1050伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 680W (Tc) 供应商设备包装: ISOTOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.14495

9000

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合计: ¥30.14495

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STF260N4F7
STF260N4F7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.54374

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合计: ¥14.54374

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STF5NK65Z
STF5NK65Z
MOSFET

¥14.25403

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STH110N8F7-2
STH110N8F7-2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥48.75920

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合计: ¥48.75920

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STU5NK50Z
STU5NK50Z
MOSFET

¥86.85686

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STW35N60M2-EP
STW35N60M2-EP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥14.34094

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STFI9N60M2
STFI9N60M2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.90489

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STH290N4F6-2
STH290N4F6-2
MOSFET N-CH 60V H2PAK-2

¥22.42402

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STL12N10F7
STL12N10F7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.86195

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STE139N65M5
STE139N65M5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A(Tc) 最大功耗: 672W (Tc) 供应商设备包装: ISOTOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.15790

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合计: ¥3.15790

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STD11N60M2-EP
STD11N60M2-EP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.79048

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STH140N6F7-6
STH140N6F7-6
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 158W(Tc) 供应商设备包装: H2PAK-6 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥13.24002

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STP80PF55
STP80PF55
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥122.33258

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