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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

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品牌型号
描述
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STH110N7F6-2
STH110N7F6-2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 68 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 176W(Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.63987

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.63987

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STB110N55F6
STB110N55F6
MOSFET N-CH 550V DPAK

¥20.22218

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.22218

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STB140N4F6
STB140N4F6
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 168W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263)

¥11.70453

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.70453

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STD65N3LLH5
STD65N3LLH5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.43170

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.43170

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STB20N60M2-EP
STB20N60M2-EP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥29.73935

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.73935

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STB78NF55-08
STB78NF55-08
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.31005

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.31005

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STD100N10LF7AG
STD100N10LF7AG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.01986

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.01986

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STD13NM50N
STD13NM50N
MOSFET N-CH 500V DPAK

¥11.93630

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.93630

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STD19NF06L
STD19NF06L
MOSFET N-CH 60V DPAK

¥110.87431

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥110.87431

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STD19NF20
STD19NF20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.03770

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.03770

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STD90NS3LLH7
STD90NS3LLH7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥54.26569

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥54.26569

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STH180N4F6-2
STH180N4F6-2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.70117

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.70117

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STH52N10LF3-2AG
STH52N10LF3-2AG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.00297

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.00297

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STL100N12F7
STL100N12F7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.57080

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.57080

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STFW6N120K3
STFW6N120K3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.54039

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.54039

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STL11N60M2-EP
STL11N60M2-EP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6)高压 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.09262

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.09262

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STP6N120K3
STP6N120K3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.48772

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.48772

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STL200N45LF7
STL200N45LF7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.60025

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.60025

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STW6N120K3
STW6N120K3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥179.97158

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥179.97158

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STL287N4F7AG
STL287N4F7AG
MOSFET N-CH 40V PWRFLAT 8X8

¥7.89476

9000

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合计: ¥7.89476

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