意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 68 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 176W(Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥25.63987 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.63987 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 550V DPAK | ¥20.22218 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.22218 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 168W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) | ¥11.70453 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.70453 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.43170 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.43170 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥29.73935 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.73935 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.31005 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.31005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.01986 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.01986 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 500V DPAK | ¥11.93630 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.93630 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V DPAK | ¥110.87431 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥110.87431 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.03770 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.03770 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥54.26569 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.26569 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.70117 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.70117 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥24.00297 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.00297 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.57080 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.57080 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.54039 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.54039 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6)高压 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.09262 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.09262 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.48772 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.48772 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.60025 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.60025 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥179.97158 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥179.97158 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 40V PWRFLAT 8X8 | ¥7.89476 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 |