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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

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品牌型号
描述
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STB155N3H6
STB155N3H6
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥49.15032

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.15032

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STI12N65M5
STI12N65M5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥9.24194

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.24194

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STI35N65M5
STI35N65M5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥112.74298

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥112.74298

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STI8N65M5
STI8N65M5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥12.71081

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.71081

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STP7NM60N
STP7NM60N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥10.79192

9000

5-7 工作日

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合计: ¥10.79192

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STU8N65M5
STU8N65M5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥128.99605

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥128.99605

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STF16N50U
STF16N50U
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.63594

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.63594

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STF3LN62K3
STF3LN62K3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥102.61741

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥102.61741

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STP5NK65Z
STP5NK65Z
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.41241

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.41241

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STB16NF25
STB16NF25
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.5A(Tc) 供应商设备包装: D2PAK

¥13.77600

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.77600

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STD150N2LH5
STD150N2LH5
MOSFET N-CH DPAK

¥123.33210

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥123.33210

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STD65NF06
STD65NF06
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥74.86261

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥74.86261

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STW20N65M5
STW20N65M5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.36991

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.36991

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STP80N70F6
STP80N70F6
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 68 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥72.02340

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥72.02340

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STS3P6F6
STS3P6F6
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tj) 最大功耗: 2.7W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥83.24989

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥83.24989

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STD27N3LH5
STD27N3LH5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.48532

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.48532

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STB12NM50ND
STB12NM50ND
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.38920

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.38920

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STD12NM50ND
STD12NM50ND
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥40.68207

0

2-3 工作日

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合计: ¥40.68207

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STB50N25M5
STB50N25M5
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.39985

9000

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合计: ¥12.39985

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STFI13NM60N
STFI13NM60N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥5.85226

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