品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥44.63075 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.63075 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥29.78281 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.78281 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥60.47822 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.47822 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥94.63573 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.63573 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.64466 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.64466 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.69973 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.69973 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 160W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.03766 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.03766 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 160W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.09900 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.09900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: H2PAK-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.31293 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.31293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.61665 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.61665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥50.30918 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.30918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.03482 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.03482 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥31.66596 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.66596 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.81993 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.81993 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥41.55976 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.55976 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥22.10533 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.10533 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.43171 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.43171 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC | ¥55.96298 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.96298 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 650V TO220FP | ¥28.14591 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.14591 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥45.74616 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.74616 | 添加到BOM 立即询价 |