品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Tc） 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.37519 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.37519 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.88996 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.88996 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） | ¥41.61770 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.61770 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.81993 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.81993 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.74415 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.74415 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP | ¥40.84996 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.84996 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.12653 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.12653 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP | ¥10.29940 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.29940 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP | ¥46.39802 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.39802 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.87980 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.87980 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 600V TO-3PH | ¥48.36809 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.36809 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.52494 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.52494 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.91606 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.91606 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥47.71623 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.71623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.14294 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.14294 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.60418 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.60418 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 210W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥43.15320 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.15320 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Tc) 最大功耗: 350W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥66.14216 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.14216 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥62.59314 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.59314 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥28.53703 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.53703 | 添加到BOM 立即询价 |