品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥33.82434 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.82434 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.61905 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.61905 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.75086 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.75086 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V H2PAK-6 | ¥17.99136 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.99136 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT | ¥16.94839 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.94839 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK | ¥35.59161 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.59161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥64.09967 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.09967 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥25.01698 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.01698 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.57320 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.57320 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.34286 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.34286 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET POWERFLAT HV | ¥13.66011 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.66011 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 4.8W (Ta), 75W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.44282 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.44282 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 2.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.93966 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.93966 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.19560 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.19560 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.69148 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.69148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥110.80188 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥110.80188 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.55823 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥48.61435 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.61435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥113.52522 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥113.52522 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥77.90463 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.90463 | 添加到BOM 立即询价 |