意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥39.77801 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.77801 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥34.01266 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.01266 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.60313 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.60313 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.9W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.83730 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.83730 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥60.69550 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.69550 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 1.6W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥21.00441 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.00441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 1.6W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥17.81753 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.81753 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1050伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.18592 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.18592 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.70645 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.70645 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 68 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 176W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.59851 | 91 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.59851 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 168W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 | ¥46.96296 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.96296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 550V TO-220 | ¥27.81274 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.81274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.82185 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.82185 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥45.54336 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.54336 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) | ¥12.02321 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.02321 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 255W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥30.07252 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.07252 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 68 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥37.53271 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.53271 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 120A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 166W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥30.44915 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.44915 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥27.48145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.48145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tj) 供应商设备包装: DPAK | ¥18.42594 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.42594 | 添加到BOM 立即询价 |