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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S29GL256P11FFI012
S29GL256P11FFI012
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥74.67430

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CY14V101QS-SF108XI
CY14V101QS-SF108XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥116.97284

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CY7C0241E-15AXC
CY7C0241E-15AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Kb (4K x 18) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥96.62029

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S29GL064S70BHI040
S29GL064S70BHI040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥34.69349

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CY7C1021CV33-12ZSXE
CY7C1021CV33-12ZSXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.39844

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CY62168EV30LL-45BVXI
CY62168EV30LL-45BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥103.35618

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S29GL064S70TFI020
S29GL064S70TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

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CY7C1418KV18-250BZI
CY7C1418KV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥118.20413

97

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CY62158EV30LL-45ZSXIT
CY62158EV30LL-45ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥67.64869

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S29GL064S80TFIV20
S29GL064S80TFIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥34.69349

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S25FL512SAGMFMG10
S25FL512SAGMFMG10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥103.93562

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CY7C1414KV18-250BZI
CY7C1414KV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥118.20413

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CY7C027-12AC
CY7C027-12AC
DUAL-PORT SRAM, 32KX16, 12NS PQF

¥301.30464

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CY62167GN30-45ZXI
CY62167GN30-45ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥43.81955

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CY62157EV30LL-45BVI
CY62157EV30LL-45BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥20.35255

270

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CY14B108M-ZSP45XI
CY14B108M-ZSP45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥121.53586

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合计: ¥121.53586

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S25FL128SAGMFB000
S25FL128SAGMFB000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥37.59065

90

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CY62167EV30LL-45BVXI
CY62167EV30LL-45BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥105.09448

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CY7C1361C-100BGC
CY7C1361C-100BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

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CY15V104QI-20LPXC
CY15V104QI-20LPXC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-GQFN (3.23x3.28)

¥171.43944

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