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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S29GL512T11FHIV20
S29GL512T11FHIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥76.26774

898

5-7 工作日

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合计: ¥76.26774

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CY7C1024DV33-10BGXI
CY7C1024DV33-10BGXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥131.31378

84

5-7 工作日

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合计: ¥131.31378

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CY7C1061DV33-10BVXI
CY7C1061DV33-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x9.5)

¥355.91611

6989

5-7 工作日

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合计: ¥2,135.49664

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CY62147EV30LL-45ZSXI
CY62147EV30LL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥38.31494

13

5-7 工作日

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合计: ¥38.31494

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S27KS0642GABHV020
S27KS0642GABHV020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥38.82194

61

5-7 工作日

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合计: ¥38.82194

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CY14B101PA-SFXI
CY14B101PA-SFXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥71.82784

1802

2-3 工作日

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合计: ¥71.82784

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CY7C136E-25JXC
CY7C136E-25JXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥218.88044

987

5-7 工作日

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合计: ¥875.52175

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CY14B101KA-SP45XI
CY14B101KA-SP45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥133.64237

1256

2-3 工作日

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合计: ¥133.64237

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S25FL128LAGMFB000
S25FL128LAGMFB000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥39.18409

0

5-7 工作日

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合计: ¥39.18409

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S25FL127SABMFI000
S25FL127SABMFI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥29.11646

0

5-7 工作日

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合计: ¥29.11646

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CY14B101KA-ZS25XI
CY14B101KA-ZS25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥222.13974

4

5-7 工作日

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合计: ¥222.13974

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CY14B104M-ZSP45XI
CY14B104M-ZSP45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥236.43105

0

2-3 工作日

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合计: ¥236.43105

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FM25VN10-G
FM25VN10-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥128.41494

2438

2-3 工作日

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合计: ¥128.41494

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STK12C68-SF45TR
STK12C68-SF45TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥366.99774

10313

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,834.98872

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CY14B104NA-ZSP45XI
CY14B104NA-ZSP45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥232.06252

2397

5-7 工作日

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合计: ¥232.06252

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CY7C1356C-250AXC
CY7C1356C-250AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥110.81637

1526

5-7 工作日

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合计: ¥110.81637

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STK12C68-SF25TR
STK12C68-SF25TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥366.99774

2970

5-7 工作日

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合计: ¥1,834.98872

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STK12C68-SF25
STK12C68-SF25
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥366.99774

748

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,834.98872

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CY7C1320KV18-250BZI
CY7C1320KV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥79.02004

26

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合计: ¥79.02004

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CY7C1320KV18-250BZXI
CY7C1320KV18-250BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥79.02004

8

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合计: ¥79.02004

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