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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S29GL01GS10DHSS20
S29GL01GS10DHSS20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥77.57146

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5-7 工作日

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合计: ¥201,685.79340

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S29GL01GS10DHSS30
S29GL01GS10DHSS30
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥77.57146

0

5-7 工作日

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合计: ¥201,685.79340

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S29PL032J60BFI070
S29PL032J60BFI070
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8x6)

¥28.68188

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合计: ¥96,944.76792

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S25FL256LDPMFV000
S25FL256LDPMFV000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥33.02762

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合计: ¥79,266.29760

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CY7C1020CV33-10ZCT
CY7C1020CV33-10ZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥8.03962

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合计: ¥2,170.69713

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CY7C185-25SC
CY7C185-25SC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥8.07583

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合计: ¥16.15167

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CY7C1312KV18-250BZXI
CY7C1312KV18-250BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥79.09247

461

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合计: ¥79.09247

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CY7C1399BN-12VC
CY7C1399BN-12VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥8.11205

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合计: ¥1,930.66742

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S70FL01GSDPBHVC10
S70FL01GSDPBHVC10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥93.79556

0

5-7 工作日

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合计: ¥93.79556

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S26KS128SDPBHV020
S26KS128SDPBHV020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥62.16190

338

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合计: ¥21,010.72220

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S25FL216K0PXEI909
S25FL216K0PXEI909
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 65 MHz 供应商设备包装: Wafer

¥2.62874

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合计: ¥3,285.92250

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CY14V101LA-BA25XI
CY14V101LA-BA25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥190.12613

1604

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合计: ¥2,281.51350

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CY7C1470BV25-250AXC
CY7C1470BV25-250AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥1,189.71875

255

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合计: ¥2,379.43751

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CY7C1474BV33-200BGXC
CY7C1474BV33-200BGXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥1,189.71875

181

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合计: ¥2,379.43751

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CY7C1461KV33-133AXI
CY7C1461KV33-133AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥402.27067

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合计: ¥2,011.35333

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CY7C2265KV18-550BZXI
CY7C2265KV18-550BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥671.92383

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合计: ¥671.92383

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CY7C1480BV33-200AXC
CY7C1480BV33-200AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥510.40716

17

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合计: ¥510.40716

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CY62167G-45ZXI
CY62167G-45ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥9.93143

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2-3 工作日

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S70GL02GS11FHSS60
S70GL02GS11FHSS60
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥151.12311

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合计: ¥136,010.79810

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CY7C2563XV18-633BZC
CY7C2563XV18-633BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 633 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

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