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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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STK22C48-SF45TR
STK22C48-SF45TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥136.12306

0

5-7 工作日

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合计: ¥136.12306

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CY7C025E-25AXCT
CY7C025E-25AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥39.16960

0

5-7 工作日

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合计: ¥39.16960

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CY7C1329S-133AXC
CY7C1329S-133AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥36.14207

262

5-7 工作日

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合计: ¥2,204.66633

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CY7C1315JV18-300BZXC
CY7C1315JV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥249.44548

588

5-7 工作日

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合计: ¥2,245.00928

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CY7C10212DV33-10BVXI
CY7C10212DV33-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥13.54422

6939

5-7 工作日

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合计: ¥2,180.61990

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CY7C10212DV33-10BVXIT
CY7C10212DV33-10BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥39.27100

0

5-7 工作日

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合计: ¥39.27100

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CY7C0852AV-133BBC
CY7C0852AV-133BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 172-FBGA (15x15)

¥1,081.50983

1101

5-7 工作日

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合计: ¥3,244.52948

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CY7C1049CV33-10VXAT
CY7C1049CV33-10VXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥44.94944

0

5-7 工作日

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合计: ¥44.94944

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CY7C1061DV18-15ZSXIT
CY7C1061DV18-15ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.7伏~2.2伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥130.89369

0

5-7 工作日

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合计: ¥130.89369

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CY7C11501KV18-400BZXC
CY7C11501KV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥292.10616

1473

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合计: ¥2,336.84926

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CY7C1019CV33-10ZXA
CY7C1019CV33-10ZXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥28.97160

17129

5-7 工作日

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合计: ¥1,825.21080

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CY7C11501KV18-400BZXI
CY7C11501KV18-400BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥306.73682

655

5-7 工作日

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合计: ¥2,453.89452

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CY7C11651KV18-400BZXC
CY7C11651KV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥270.37746

1296

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- +

合计: ¥2,433.39711

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CY7C12481KV18-400BZXC
CY7C12481KV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥386.26386

142

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合计: ¥2,317.58314

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CY7C12501KV18-450BZXC
CY7C12501KV18-450BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥436.45715

2027

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合计: ¥2,182.28577

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CY7C12681KV18-400BZXC
CY7C12681KV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥257.99862

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CY7C1318SV18-250BZXC
CY7C1318SV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥292.10616

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CY7C1338S-100AXCT
CY7C1338S-100AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥92.30352

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CY7C1347S-133AXCT
CY7C1347S-133AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥19.70069

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CY7C1347S-166AXCT
CY7C1347S-166AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

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